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레이저 다이오드의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015024691
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체기판과, N형 GaAs의 버퍼층과, N형 AlGaAs의 클래드층과, N형 AlGaAs의 활성층과, P형 AlGaAs의 1차 클래드층 및 P형 InGaP의 식각정지층으로 이루어진 레이저 발진층과, 레이저 발진층의 상부에 전류차단층을 한번에 성장시킨 다음, 마스크를 이용하여 전류차단층 내부에 I릿지가 형성될 공간을 에칭하고, 공간에 P형 AlGaAs의 2차 클래드층을 성장시킴으로써 P형 AlGaAs의 2차 클래드층이 대기중에 노출되는 것을 방지할 수 있다. 레이저 다이오드, I릿지, 2차 클래드층, 컨텍트층, 전류차단층
Int. CL H01S 5/32 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020010078046 (2001.12.11)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-0836774-0000 (2008.06.03)
공개번호/일자 10-2003-0048186 (2003.06.19) 문서열기
공고번호/일자 (20080610) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.11)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최진식 대한민국 대구광역시동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2001-0326217-84
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
4 출원심사청구서
Request for Examination		 2006.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2006-0915255-41
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.11.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2007-0074154-88
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0668472-06
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0046907-31
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0046905-40
10 등록결정서
Decision to grant		 2008.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0298549-23
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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반도체기판과, N형 GaAs의 버퍼층과, N형 AlGaAs의 클래드층과, N형 AlGaAs의 활성층과, P형 AlGaAs의 1차 클래드층과, P형 InGaP의 식각정지층과, P형 AlGaAs의 2차 클래드층과, AlGaAs의 전류차단층과, P형 GaAs의 컨텍트층과, P형전극 및 N형전극으로 구성되며, I릿지를 구비하는 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서, 상기 반도체기판과, N형 GaAs의 버퍼층과, N형 AlGaAs의 클래드층과, N형 AlGaAs의 활성층과, P형 AlGaAs의 1차 클래드층 및 P형 InGaP의 식각정지층으로 이루어진 레이저 발진층을 성장시키는 단계와, 상기 레이저 발진층의 상부에 상기 전류차단층을 성장시키는 단계와, 상기 I릿지의 형상을 형성하기 위해 중앙에 공간부를 가지도록 상기 성장된 전류차단층의 상부 양측에 유전체 마스크를 증착시키는 단계와, 상기 마스크가 증착된 상기 전류 차단층의 중앙에 형성된 공간부로부터 수직 하방향으로 상기 레이저 발진층의 상기 식각정지층 상부까지 건식,습식 에칭중 어느 하나의 에칭으로 식각하여 상기 I릿지의 형상을 형성할 공간을 마련하는 단계와, 상기 I릿지의 형상을 형성할 공간에서 상기 전류차단층의 높이보다 낮게 상기 P형 AlGaAs의 2차 클래드층을 성장시키는 단계와, 성장된 P형 AlGaAs의 2차 클래드층의 상부에서 상기 마스크의 하단부의 높이까지 상기 P형 GaAs의 컨텍트층을 성장시키는 단계와, 케미칼 에천트를 사용하여 상기 마스크 및 상기 P형 GaAs의 컨텍트층중 상단부를 식각하는 단계와, 상기 전류차단층 및 상기 P형 GaAs의 컨텍트층에 다시 P형 GaAs의 컨텍트층을 성장시키는 단계와, 상기 컨텍트층의 상부 및 상기 반도체기판의 하부에 상기 P형전극 및 N형전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법
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반도체기판과, N형 GaAs의 버퍼층과, N형 AlGaAs의 클래드층과, N형 AlGaAs의 활성층과, P형 AlGaAs의 1차 클래드층과, P형 InGaP의 식각정지층과, P형 AlGaAs의 2차 클래드층과, AlGaAs의 전류차단층과, P형 GaAs의 컨텍트층과, P형전극 및 N형전극으로 구성되며, I릿지를 구비하는 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서, 상기 반도체기판과, N형 GaAs의 버퍼층과, N형 AlGaAs의 클래드층과, N형 AlGaAs의 활성층과, P형 AlGaAs의 1차 클래드층 및 P형 InGaP의 식각정지층으로 이루어진 레이저 발진층을 성장시키는 단계와, 상기 레이저 발진층의 상부에 상기 전류차단층을 성장시키는 단계와, 상기 I릿지의 형상을 형성하기 위해 중앙에 공간부를 가지도록 상기 성장된 전류차단층의 상부 양측에 유전체 마스크를 증착시키는 단계와, 상기 마스크가 증착된 상기 전류 차단층의 중앙에 형성된 공간부로부터 수직 하방향으로 상기 레이저 발진층의 상기 식각정지층 상부까지 건식,습식 에칭중 어느 하나의 에칭으로 식각하여 상기 I릿지의 형상을 형성할 공간을 마련하는 단계와, 상기 I릿지의 형상을 형성할 공간에서 상기 전류차단층의 높이보다 낮게 상기 P형 AlGaAs의 2차 클래드층을 성장시키는 단계와, 성장된 P형 AlGaAs의 2차 클래드층의 상부에서 상기 마스크의 하단부의 높이까지 상기 P형 GaAs의 컨텍트층을 성장시키는 단계와, 케미칼 에천트를 사용하여 상기 마스크 및 상기 P형 GaAs의 컨텍트층중 상단부를 식각하는 단계와, 상기 전류차단층 및 상기 P형 GaAs의 컨텍트층에 다시 P형 GaAs의 컨텍트층을 성장시키는 단계와, 상기 컨텍트층의 상부 및 상기 반도체기판의 하부에 상기 P형전극 및 N형전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.