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기판 상에 게이트배선과 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트배선과 게이트 전극이 형성된 기판의 전면에 제 1 절연막인 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 상에 액티층과 오믹콘택층을 형성하는 단계와; 상기 액티브층과 오믹콘택층이 형성된 기판의 전면에 몰리브덴(Mo)과 10Å~500Å의 두께로 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd)을 연속하여 증착하여, 제 1 금속층과 제 2 금속층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 금속층과 제 2 금속층을 포토리소그라피 공정으로 패턴하여, 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과, 상기 데이터 배선에서 돌출 연장된 소스전극과 이와는 소정간격 이격된 드레인전극을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인전극과 데이터배선이 형성된 기판의 전면에 제 2 절연막인 보호막을 형성한 후 패턴하여, 상기 드레인전극의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀을 형성하는 단계와; 상기 노출된 드레인전극과 접촉하면서 상기 화소영역 상에 투명한 화소전극을 형성하는 단계 를 포함한 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 금속층은 포토리소그라피 공정 중 포토레지스트를 현상하는 현상액에 제거되는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 금속층은 상기 몰리브덴층인 제 1 금속층을 식각하는 식각용액에 의해 제거되는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 소스 및 드레인전극 사이로 노출된 오믹콘택층을 제거하는 단계를 더욱 포함하는 액정표시장치용 어레기판 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 절연막은 질화 실리콘(SiNX) 또는 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나로 형성하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 절연막은 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지를 포함한 투명한 유기절연물질 또는 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함한 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 도포 또는 증착하여 형성한 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 금속층의 두께는 바람직한 예로 200Å이상 300Å이하가 되도록 증착하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 금속층의 두께는 바람직한 예로 200Å이상 300Å이하가 되도록 증착하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
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