1 |
1
기판; 상기 기판 상부에 형성되어 있는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터를 덮고 있는 보호층; 상기 보호층 상부에 형성되고 표면에 요철을 가지는 고분자 물질층; 상기 고분자 물질층 상부에 형성되고 상기 박막 트랜지스터와 연결되며, 표면에 요철을 가지는 반사 전극; 상기 반사 전극 상부의 투명한 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상부의 유기 발광층; 상기 유기 발광층 상부에 형성되어 있는 투명한 제 2 전극 을 포함하는 능동행렬 유기전기발광소자
|
2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전극은 인듐-틴-옥사이드와 인듐-징크-옥사이드 중의 어느 하나로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자
|
3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 보호막은 상기 박막 트랜지스터를 일부 드러내는 콘택홀을 가지며, 상기 고분자 물질층은 상기 콘택홀 부분에서 제거되어 있는 능동행렬 유기전기발광소자
|
4 |
4
제 3 항에 있어서, 상기 고분자 물질층은 감광성 물질로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자
|
5 |
5
기판 상부에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터를 덮으며 콘택홀을 가지는 보호층을 형성하는 단계; 상기 보호층 상부에 요철을 가지는 고분자 물질층을 형성하는 단계; 상기 고분자 물질층 상부에 상기 박막 트랜지스터와 연결되며, 표면에 요철을 가지는 반사 전극을 형성하는 단계; 상기 반사 전극 상부에 투명한 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상부에 유기 발광층을 형성하는 단계; 상기 유기 발광층 상부에 투명한 제 2 전극을 형성하는 단계 를 포함하는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법
|
6 |
6
제 5 항에 있어서, 상기 고분자 물질층을 형성하는 단계는 고분자 물질을 코팅하는 단계와, 요철을 가지는 몰드로 상기 코팅된 고분자 물질에 압력을 가하는 단계, 상기 몰드와 고분자 물질에 온도를 가하는 단계, 상기 몰드를 제거하는 단계를 포함하는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법
|
7 |
7
제 6 항에 있어서, 상기 몰드로 가하는 압력은 상압보다 큰 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법
|
8 |
8
제 6 항에 있어서, 상기 고분자 물질에 가하는 온도는 상기 고분자 물질의 전이온도 이상인 유기전기발광소자의 제조 방법
|
9 |
9
제 8 항에 있어서, 상기 고분자 물질은 폴리스틸렌(polystylene)으로 이루어지는 유기전기발광소자의 제조 방법
|
10 |
10
제 9 항에 있어서, 상기 고분자 물질에 가하는 온도는 120℃ 내지 130 ℃인 유기전기발광소자의 제조 방법
|
11 |
11
제 6 항에 있어서, 상기 몰드는 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane : PDMS)으로 이루어지는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법
|
12 |
12
제 5 항에 있어서, 상기 고분자 물질층은 감광성 물질로 이루어지는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법
|
13 |
13
제 5 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전극은 인듐-틴-옥사이드와 인듐-징크-옥사이드 중의 어느 하나로 이루어지는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법
|
14 |
13
제 5 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전극은 인듐-틴-옥사이드와 인듐-징크-옥사이드 중의 어느 하나로 이루어지는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법
|