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종횡으로 교차되어 화소를 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선; 상기 홀수 번째 데이터 배선에 연결되는 제 1 쇼팅바 및 상기 짝수 번째 데이터 배선에 연결되며 상기 제 1 쇼팅바와 절연되는 제 2 쇼팅바; 상기 홀수 번째 게이트 배선에 연결되는 제 3 쇼팅바 및 상기 짝수 번째 게이트 배선에 연결되며 상기 제 3 쇼팅바와 절연되는 제 4 쇼팅바; 상기 데이터 배선을 포함한 전면에 형성된 보호막; 상기 쇼팅바가 교차하는 부분 또는 상기 쇼팅바가 형성된 부분을 제외한 상기 보호막 상부에 선택적으로 형성된 투명도전막을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 어레이 기판
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 쇼팅바와 제 2 쇼팅바가 교차하는 것을 특징으로 하는 박막 어레이 기판
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제 1 항에 있어서, 상기 제 3 쇼팅바와 제 4 쇼팅바가 교차하는 것을 특징으로 하는 박막 어레이 기판
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기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계; 상기 게이트 배선과 절연되는 데이터 배선을 형성하는 단계; 상기 게이트 배선과 선택적으로 연결되는 적어도 하나 이상의 쇼팅바를 형성하는 단계; 상기 데이터 배선과 선택적으로 연결되는 적어도 하나 이상의 쇼팅바를 형성하는 단계; 상기 데이터 배선을 포함한 전면에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막 상에 투명도전막을 형성하는 단계; 상기 투명도전막을 패터닝하여 화소전극을 형성함과 동시에,상기 쇼팅바가 교차하는 부분 또는 쇼팅바 상부의 투명도전막을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 어레이 기판의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 쇼팅바는 상기 게이트 배선 또는 데이터 배선과 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 어레이 기판의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 투명도전막은 ITO인 것을 특징으로 하는 박막 어레이 기판의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차점에 상기 화소전극과 연결되는 박막트랜지스터를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 어레이 기판의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차점에 상기 화소전극과 연결되는 박막트랜지스터를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 어레이 기판의 제조방법
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