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기판상에 제1무기절연층을 포함하는 박막트랜지스터 및 상기 제1무기절연층에 의해 덮여 있는 패드를 형성하는 단계;상기 박막트랜지스터와 패드 위에 제2무기절연층을 형성하는 단계;상기 제1무기절연층과 제2무기절연층을 에칭하여 상기 박막트랜지스터에 제1컨택홀을 형성하고 상기 패드 위에 무기절연층 일부를 남기는 단계;상기 제2무기절연층 위에 유기절연층을 적층한 후 박막트랜지스터와 패드 위의 유기절연층을 선택적으로 제거하는 단계;상기 패드 위에 형성된 제1무기절연층을 선택적으로 에칭하여 제2컨택홀을 형성하는 단계; 및상기 제1컨택홀 및 제2컨택홀을 통해 상기 박막트랜지스터 및 상기 패드와 접속되는 화소전극을 상기 유기절연층 위에 형성하는 단계로 구성된 액정표시소자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 박막트랜지스터를 형성하는 단계는,기판 상에 형성되어 상기 제1무기절연층에 의해 덮여 있는 게이트전극을 형성하는 단계;상기 제1무기절연층 위에 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 반도체층 위에 소스/드레인전극을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법
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제2항에 있어서, 상기 소스/드레인전극은 Cr과 Mo로 구성된 일군으로부터 선택된 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1무기절연층 및 제2무기절연층을 에칭하는 단계는 상기 제1무기절연층 및 상기 제2무기절연층을 드라이에칭하여 박막트랜지스터 및 패드 위의 제2무기절연층을 완전히 제거하고 패드 위의 제1무기절연층의 일부를 에칭하는 것을 포함한 방법
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제1항에 있어서, 상기 유기절연층을 제거하는 단계는 상기 유기절연층에 현상액을 작용시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 유기절연층은 포토아크릴과 BCB(Benzocyclobutene)으로 구성된 일군으로부터 선택된 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 패드를 형성하는 단계는 게이트패드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
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제7항에 있어서, 상기 게이트패드는 상기 박막트랜지스터의 게이트전극과 동일한 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법
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기판상에 패드를 형성하는 단계;상기 패드 위에 한층 이상의 무기절연층을 적층하는 단계;상기 무기절연층의 일부를 에칭하여 제거하고 상기 패드 위에는 무기절연층의 일부를 남기는 단계;에칭된 무기절연층 위에 유기절연층을 적층하는 단계;상기 패드 위의 유기절연층을 선택적으로 제거하는 단계; 및상기 패드 위에 남아 있는 무기절연층을 에칭하여 상기 패드를 오픈하는 단계로 구성된 액정표시소자의 패드오픈방법
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제10항에 있어서, 상기 패드를 형성하는 단계는 게이트패드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
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제10항에 있어서, 상기 무기절연층은 SiNx 및 SiOx로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법
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제10항에 있어서, 상기 무기절연층은 SiNx 또는 SiOx로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법
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