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질화물 반도체 제조방법

  • 기술번호 : KST2015025034
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 질화물 반도체 제조방법은, 실리콘 기판에 Al2O3 박막을 성장시키는 단계와; 상기 성장된 Al2O3 박막에 대하여 열처리를 수행하고, Al2O3 박막의 결정성을 향상시키는 단계; 및 상기 결정성이 향상된 Al2O3 박막 위에 GaN 단결정 박막을 성장시키는 단계; 를 포함한다. 여기서, 상기 GaN 단결정 박막을 성장시키는 단계는, 상기 결정성이 향상된 Al2O3 박막 위에 GaN 완충층(buffer layer)을 성장시키는 단계; 및 상기 GaN 완충층 위에 GaN 단결정 박막을 성장시키는 단계; 를 구비한다. 또한, 상기 GaN 완충층을 성장시키는 단계에 있어, MOCVD 장비를 이용하여 450~600℃에서, H2 캐리어 가스를 공급하면서 TMGa를 펄스로 유입시키고, NH3 가스를 유입시켜 GaN 완충층을 성장시킨다. 또한, 상기 TMGa를 유입시킴에 있어, 30~120초 동안 펄스로 공급하며, 10~300μmol/min으로 유입시킨다. 또한, 상기 GaN 단결정 박막을 성장시키는 단계에 있어, MOCVD 장비를 이용하여 1000~1100℃에서 TMGa를 공급시켜 GaN 단결정 박막을 성장시킨다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01)
출원번호/일자 1020020001965 (2002.01.14)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-0477075-0000 (2005.03.07)
공개번호/일자 10-2003-0061940 (2003.07.23) 문서열기
공고번호/일자 (20050317) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.01.14)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이석헌 대한민국 광주광역시광산구
2 이용현 대한민국 대구광역시 수성구
3 박병훈 대한민국 광주광역시광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허용록 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2002-0009795-84
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.09.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2003-0048092-42
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0498896-14
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2004-0056407-55
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2004-0101953-18
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2004-0151601-68
8 의견서
Written Opinion		 2004.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2004-0194661-38
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2004.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0307872-29
10 명세서 등 보정서 (심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2004.09.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2004-0013480-11
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0439187-79
12 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2004-0602729-59
13 의견서
Written Opinion		 2005.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2005-0034976-31
14 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0034977-87
15 등록결정서
Decision to grant		 2005.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0045485-29
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판에, ALE(Atomic Layer Epitaxy) 방법을 이용하여 Al2O3 박막을 성장시키는 단계; 상기 성장된 Al2O3 박막에 대하여 900~1300℃에서 열처리를 수행하고, 육방정계(hexagonal system) 구조의 결정상을 갖는 Al 2 O 3 박막으로 결정성을 향상시키는 단계; 상기 육방정계 구조의 결정상을 갖는 Al2O3 박막 위에 육방정계 구조의 결정상을 갖는 다결정의 GaN 완충층(buffer layer)을 성장시키는 단계; 및 상기 육방정계 구조의 결정상을 갖는 다결정의 GaN 완충층 위에 육방정계 구조의 GaN 단결정 박막을 성장시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 GaN 완충층을 성장시키는 단계에 있어, MOCVD 장비를 이용하여 450~600℃에서, H2 캐리어 가스를 공급하면서 TMGa를 30~120초 동안, 10~300μmol/min의 조건에서 펄스로 유입시키고, NH3 가스를 유입시켜 상기 GaN 완충층을 성장시키는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 제조방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서, 상기 GaN 단결정 박막을 성장시키는 단계에 있어, MOCVD 장비를 이용하여 1000~1100℃에서 TMGa를 공급시켜 GaN 단결정 박막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 TMGa를 유입시킴에 있어, 100~650 torr 압력하에서 60분 동안 50~600μmol/min으로 공급시켜 GaN 단결정 박막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 제조방법
8 8
삭제
9 9
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 기판 위에 성장되는 Al2O3 박막의 두께는 1000~10000Å인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 제조방법
10 10
삭제
11 11
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 기판 위에 성장된 비정질의 Al2O3 박막의 결정성을 향상시키기 위하여 열처리 하는 시간은 1~60분인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 제조방법
12 12
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 기판 위에 성장된 Al2O3 박막의 결정성을 향상시키기 위하여 열처리 하는 분위기는, N2, O2, N2/O2, N2/H2 중의 어느 한 분위기에서 열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 제조방법
13 12
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 기판 위에 성장된 Al2O3 박막의 결정성을 향상시키기 위하여 열처리 하는 분위기는, N2, O2, N2/O2, N2/H2 중의 어느 한 분위기에서 열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.