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액정표시소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015025097
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요약 본 발명은 패턴드 은 패이스트를 구비한 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로서, 본 발명의 액정표시소자 제조방법은 박막트랜지스터를 구비하는 제 1 기판 또는 칼라 필터층을 구비하는 제 2 기판의 가장자리 부분에 형성된 실런트의 외곽에 패턴드 은 패이스트를 규칙적이고 정확하게 위치시킴으로써 포토리소그래피 공정을 통하여 한번에 형성시킬 수 있기 때문에 제조공정 시간을 단축하여 생산성을 향상시키고, 어떠한 모양과 크기에 따라 자유로운 적용이 가능한 최적 형태의 은 패이스트 제작이 가능하고, 은 패이스트 불량율을 없애기 때문에 경제성이 높은 액정 표시소자의 획득이 가능하다. 은 패이스트(Ag paste), 씰제(Sealant)
Int. CL G02F 1/1339 (2000.01)
CPC G02F 1/1339(2013.01) G02F 1/1339(2013.01)
출원번호/일자 1020010088438 (2001.12.29)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0796490-0000 (2008.01.15)
공개번호/일자 10-2003-0058055 (2003.07.07) 문서열기
공고번호/일자 (20080121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.07)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤헌도 대한민국 대구광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2001-0355421-61
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.09.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0646934-02
3 출원심사청구서
Request for Examination		 2006.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0646935-47
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0038483-50
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0524893-71
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0843531-61
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.11.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0843530-15
9 등록결정서
Decision to grant		 2007.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0694627-30
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
박막트랜지스터 및 화소전극이 형성된 제 1 기판과,상기 제 1 기판과 대향하여 칼라필터층 및 공통전극이 형성된 제 2 기판과,상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 형성된 액정층과, 그리고상기 공통전극과 상기 제 1 기판을 전기적으로 접지시키기 위해 형성된 복수개의 패턴드 은 패이스트를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 패턴드 은 패이스트는 상기 제 2 기판에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 패턴드 은 패이스트는 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 용착을 위해 상기 2 기판의 상기 공통전극보다 먼저 형성된 것을 특징으로 한는 액정표시소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 패턴드 은 패이스트는 일정한 두께를 갖는 〓 또는 ∼ 컬럼 모양으로 기판의 가장자리에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 패턴드 은 패이스트는 ○, △, □, 오각형과 같은 도형 모양으로 복수개 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
6 6
박막트랜지스터 및 화소 전극 형성 공정을 마친 제 1 기판 또는 칼라필터 및 공통전극 형성 공정을 마친 제 2 기판상에 제 1 항 내지 제 5 항 중 적어도 한 항을 만족하는 패턴드 은 패이스트를 형성하는 공정과,상기 패턴드 은 패이스트가 형성된 상기 기판 상에 배향막을 형성하는 공정과,상기 패턴드 은 패이스트가 형성된 상기 기판 상에 셀갭의 유지를 위해 스페이서를 형성하는 공정과,상기 스페이서가 형성된 상기 기판의 가장자리에 씰제를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 패턴드 은 패이스트는 포토리소그래피 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 제 2 기판 상에 상기 패턴드 은 패이스트가 형성된 후 상기 공통전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
9 8
제 6 항에 있어서, 상기 제 2 기판 상에 상기 패턴드 은 패이스트가 형성된 후 상기 공통전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.