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챔버에 내장되어 있는 반응 용기에 Ⅲ족 원소 용융물을 수납하는 제 1 단계와 ; 상기 챔버와, 기판이 연결된 서셉터에 열을 가하여 상기 챔버와 서셉터의 온도차를 T℃로 유지하는 제 2 단계와 ; 상기 챔버의 반응 용기에 수납한 Ⅲ족 원소 용융물 내부로 N분자 생성 가스를 주입하여 상기 Ⅲ족 원소 용융물과 N분자 생성 가스를 직접 화학 반응시켜 질화물을 생성하는 제 3 단계와 ; 상기 생성한 질화물을 상기 서셉터에 연결된 기판에서 성장시키는 제 4 단계로 이루어지는 질화물 반도체 기판 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계는 ; 상기 챔버의 반응 용기에 수납한 Ⅲ족 원소 용융물 내부로 회전 날개가 부착된 주입관을 통해 N분자 생성 가스를 주입하되, 상기 회전 날개를 정방향 또는 역방향으로 회전시켜 상기 Ⅲ족 원소 용융물과 N분자 생성 가스를 직접 화학 반응시켜 질화물을 생성하도록 하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 Ⅲ족 원소 용융물은 ; 질화갈륨 분말이나 메탈 갈륨 또는 이들의 혼합된 분말 중 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 N 분자 생성 가스는 NH3이고,상기 T℃는 0℃ ~ 150℃ 인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판 제조 방법
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챔버에 내장되어 있는 보트에 Ⅲ족 원소 용융물을 수납하는 제 1 단계와 ; 상기 챔버 내부의 일영역에 설치된 서셉터와 상기 챔버에 열을 가하여 상기 서셉터와 챔버의 온도차를 T℃로 유지하는 제 2 단계와 ; 상기 보트에 수납한 Ⅲ족 원소 용융물 내부로 버블링 가스를 주입하여 상기 Ⅲ족 원소 용융물과 버블링 가스를 직접 화학 반응시키는 제 3 단계와 ; 상기 화학 반응을 통해 생성한 반응물과 상기 챔버의 일측에 연결된 주입관을 통해 주입된 N분자 생성 가스를 화학반응시켜 생성한 질화물을 상기 서셉터 상부에 안착된 기판에서 성장시키는 제 4 단계로 이루어지는 질화물 반도체 기판 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 Ⅲ족 원소 용융물은 ; 질화갈륨 분말이나 메탈 갈륨 또는 이들의 혼합된 분말 중 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 버블링 가스와 N분자 생성 가스는 각기 염화수소(HCl)와 NH3이고,상기 T℃는 0℃ ~ 300℃ 인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판 제조 방법
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7
제 5 항에 있어서, 상기 버블링 가스와 N분자 생성 가스는 각기 염화수소(HCl)와 NH3이고,상기 T℃는 0℃ ~ 300℃ 인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판 제조 방법
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