맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

반도체 발광 다이오드 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015025253
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기판의 상부에 n-질화갈륨층, n-AlGaN층, 활성층, p-AlGaN층과 p-질화갈륨층이 순차적으로 형성되어 있고; 상기 p-질화갈륨층에서 n-질화갈륨층의 일부까지 메사(Mesa) 식각되어, 상기 식각된 n-질화갈륨층의 상부에 n-전극이 형성되어 있고; 상기 p-질화갈륨층의 상부에 투명전극과 p-전극이 순차적으로 형성되어 있으며; 상기 활성층은 휘도보강층, 웰층과 배리어층이 교대로 계속적으로 적층되도록 구성한다. 따라서, 본 발명은 웰층을 성장시키기 전에, 알루미늄 모노층, Al+Si합금층, Al+In합금층과 Al+Si+In합금층 중 선택된 휘도보강층이 형성되어 활성층에 양자점의 형성을 용이하게 하고, 이로 인하여, 발광다이오드의 발광효율을 증대시킬 수 있는 효과가 발생한다. 반도체, 발광, 다이오드, 활성층, 웰, 휘도보강층, 양자점, 배리어층
Int. CL H01L 33/04 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020020011949 (2002.03.06)
출원인 주식회사 엘지이아이
등록번호/일자 10-0853935-0000 (2008.08.18)
공개번호/일자 10-2003-0072762 (2003.09.19) 문서열기
공고번호/일자 (20080825) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.03.05)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지이아이 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신종언 대한민국 경기도성남시분당구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지이아이 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2002-0065919-51
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2002-5030566-15
3 출원심사청구서
Request for Examination		 2007.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0181073-12
4 대리인해임신고서
Report on Dismissal of Agent		 2007.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0200277-10
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.12.14 수리 (Accepted) 9-1-2007-0075870-28
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0087360-19
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.04.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0264045-47
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0264034-45
10 등록결정서
Decision to grant		 2008.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0415916-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 상부에 n-질화갈륨층, n-AlGaN층, 활성층, p-AlGaN층과 p-질화갈륨층이 순차적으로 형성되어 있고; 상기 p-질화갈륨층에서 n-질화갈륨층의 일부까지 메사(Mesa) 식각되어, 상기 식각된 n-질화갈륨층의 상부에 n-전극이 형성되어 있고;상기 p-질화갈륨층의 상부에 투명전극과 p-전극이 순차적으로 형성되어 있으며;상기 활성층은 휘도보강층, 웰층과 배리어층이 교대로 계속적으로 적층되어 있고,상기 휘도보강층은 알루미늄 모노층, Al+Si합금층, Al+In합금층과 Al+Si+In합금층 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 휘도보강층은 분자가 2차원 평면적으로만 균일하게 배열된 모노층 단위로 1 ~ 10개의 범위내에서 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드
4 4
웰층과 배리어층이 교대로 계속적으로 적층된 활성층을 구비하는 반도체 발광 다이오드의 제조 방법에 있어서, 상기 각각의 웰층이 성장되기 전에, 알루미늄 모노층, Al+Si합금층, Al+In합금층과 Al+Si+In합금층 중 선택된 어느 하나를 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드의 제조방법
5 4
웰층과 배리어층이 교대로 계속적으로 적층된 활성층을 구비하는 반도체 발광 다이오드의 제조 방법에 있어서, 상기 각각의 웰층이 성장되기 전에, 알루미늄 모노층, Al+Si합금층, Al+In합금층과 Al+Si+In합금층 중 선택된 어느 하나를 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.