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액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015025355
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 투명한 화소전극인 애노드전극 하부의 절연막을 유기막으로 구성하여 배선간의 신호왜곡을 줄이고, 그 상부에 애노드전극을 원하는 두께보다 더 두껍게 형성한 후, 이를 적당한 두께로 연마하여 그 표면을 균일하게 만들어줌으로써, 애노드전극 상부의 유기발광층을 균일한 두께로 형성시켜 유기발광소자의 수명을 향상시킨 것이다.
Int. CL	H05B 33/22 (2011.01)
CPC	H01L 51/5206(2013.01) H01L 51/5206(2013.01) H01L 51/5206(2013.01)
출원번호/일자	1020020029993 (2002.05.29)
출원인	엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자	10-0832296-0000 (2008.05.20)
공개번호/일자	10-2003-0092354 (2003.12.06) 문서열기
공고번호/일자	(20080526) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2007.05.29)
심사청구항수	17

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	박재용	대한민국	경기도안양시동안구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	박장원	대한민국	서울특별시 강남구 강남대로 **, 층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2002.05.29	수리 (Accepted)	1-1-2002-0168887-15
2	출원심사청구서 Request for Examination	2007.05.29	수리 (Accepted)	1-1-2007-0394225-95
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
4	등록결정서 Decision to grant	2008.04.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0225302-75
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 투명한 기판과; 상기 투명한 기판 상에 형성되고 액티브층, 소스/드레인전극, 그리고 게이트전극을 포함하는 박막트랜지스터 및 스토리지 커패시터와; 상기 박막트랜지스터 및 스토리지 커패시터 상부 전면에 형성되며, 상기 박막트랜지스터의 드레인전극 혹은 소스전극의 일부를 노출시키는 보호막과; 상기 보호막 상부의 화소영역 및 노출된 드레인 혹은 소스전극 상에 형성되며, 상기 화소영역과 노출된 드레인 혹은 소스전극 상에 그 두께가 서로 다르게 형성된 제1전극과 상기 제1전극 상부에 형성된 유기발광층 및 제2전극으로 구성된 유기전계발광소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자
2	2 제 1항에 있어서, 상기 스토리지 커패시터는 스토리지 하부전극, 파워라인, 그리고 상기 스토리지 하부전극과 파워라인 사이에 형성된 층간절연막으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자
3	3 제 1항에 있어서, 상기 제1전극은 애노드전극이고, 상기 제2전극은 캐소드전극인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자
4	4 제 1항에 있어서, 상기 제1전극은 캐소드전극이고, 상기 제2전극은 애노드전극인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자
5	5 제 1항에 있어서, 상기 제1전극은 ITO, IZO, ITZO와 같은 투명한 금속물질로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자
6	6 제 1항에 있어서, 상기 제2전극은 ITO, IZO, ITZO와 같은 투명한 금속물질로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자
7	7 제 1항에 있어서, 상기 노출된 드레인전극 또는 소스전극 상에 형성된 제1전극의 두께가 화소영역에 형성된 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자
8	8 제 7항에 있어서, 상기 노출된 드레인전극 또는 소스전극 상에 형성된 제1전극의 두께는 약 1300∼2000Å인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자
9	9 제 7항에 있어서, 상기 화소영역에 형성된 제1전극의 두께는 약 1000∼1500Å인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자
10	10 투명한 기판을 준비하는 단계와; 상기 투명한 기판 상에 액티브층, 소스/드레인전극, 그리고 게이트전극을 포함하는 박막트랜지스터와 스토리지 하부전극, 층간절연막, 그리고 파워라인을 포함하는 스토리지 커패시터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터 및 스토리지 커패시터를 포함하는 기판 상부 전면에 박막트랜지스터의 드레인전극 혹은 소스전극의 일부를 노출시키는 보호막을 형성하는 단계와; 상기 보호막 상에 유기발광소자의 제1전극을 형성하는 단계와; 상기 제1전극의 표면을 연마하는 단계와; 상기 제1전극 상에 유기발광층 및 제2전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자의 제조방법
11	11 제 10항에 있어서, 상기 제1전극은 애노드전극이고, 상기 제2전극은 캐소드전극으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자의 제조방법
12	12 제 10항에 있어서, 상기 제1전극은 캐소드전극이고, 상기 제2전극은 애노드전극으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자의 제조방법
13	13 제 10항에 있어서, 상기 보호막은 BCB 또는 아크릴과 같은 유기물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자의 제조방법
14	14 제 10항에 있어서, 상기 애노드전극의 연마단계는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 통해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자의 제조방법
15	15 제 14항에 있어서, 상기 CMP 공정시 사용되는 연마제는 세륨옥사이드(Ceria), Al2O3, SiC 입자중의 하나가 산화마그네슘(MgO)에 분산된 나노파우더인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자의 제조방법
16	16 제 14항에 있어서, 상기 CMP 공정시 사용되는 연마제는 텅스텐카바이드-코발트(WC-Co) 또는 티타늄옥사이드(TiO3) 중의 하나인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자의 제조방법
17	17 제 10항에 있어서, 상기 애노드전극의 연마단계에서 애노드전극이 연마되는 두께는 약 300∼500Å 인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자의 제조방법
18	17 제 10항에 있어서, 상기 애노드전극의 연마단계에서 애노드전극이 연마되는 두께는 약 300∼500Å 인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0832296-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20020529 출원 번호 : 1020020029993 공고 연월일 : 20080526 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080428 청구범위의 항수 : 17 유별 : H05B 33/22 발명의 명칭 : 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	831,000 원	2008년 05월 21일	납입
제 4 년분	금 액	414,000 원	2011년 03월 29일	납입
제 5 년분	금 액	414,000 원	2012년 03월 30일	납입
제 6 년분	금 액	414,000 원	2013년 03월 29일	납입
제 7 년분	금 액	746,000 원	2014년 03월 28일	납입
제 8 년분	금 액	746,000 원	2015년 04월 29일	납입
제 9 년분	금 액	746,000 원	2016년 04월 28일	납입
제 10 년분	금 액	1,175,000 원	2017년 04월 13일	납입
제 11 년분	금 액	1,175,000 원	2018년 04월 16일	납입
제 12 년분	금 액	1,175,000 원	2019년 04월 17일	납입
제 13 년분	금 액	1,295,000 원	2020년 04월 22일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2002.05.29	수리 (Accepted)	1-1-2002-0168887-15
2	출원심사청구서	2007.05.29	수리 (Accepted)	1-1-2007-0394225-95
3	출원인정보변경(경정)신고서	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
4	등록결정서	2008.04.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0225302-75
5	출원인정보변경(경정)신고서	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
6	출원인정보변경(경정)신고서	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
7	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95


기술번호	KST2015025355
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법
기술개요	본 발명은 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 투명한 화소전극인 애노드전극 하부의 절연막을 유기막으로 구성하여 배선간의 신호왜곡을 줄이고, 그 상부에 애노드전극을 원하는 두께보다 더 두껍게 형성한 후, 이를 적당한 두께로 연마하여 그 표면을 균일하게 만들어줌으로써, 애노드전극 상부의 유기발광층을 균일한 두께로 형성시켜 유기발광소자의 수명을 향상시킨 것이다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

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