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소정의 발광영역이 정의된 기판 상에 산소유량이 선형적으로 적용되어 형성된 다층구조의 투명전극과, 상기 기판 전면에 금속물질로 형성된 금속전극과, 상기 다층구조의 투명전극과 금속전극 사이에 형성되어 외부의 인가전압에 의해 발광하는 유기 발광층을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자
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제 1 항에 있어서, 상기 다층구조의 투명전극은 산화인듐(In2O3)에 산화주석(SnO2)을 도핑한 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide)로 구성된 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자
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제 2 항에 있어서, 상기 다층구조의 투명전극의 두께는 약 1400Å 정도인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자
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제 3 항에 있어서, 상기 다층구조의 투명전극은 약 1200Å 정도의 두께를 가지는 제1 투명전극층과, 약 200Å 정도의 두께를 가지도록 상기 제1 투명전극층 상에 형성된 제2 투명전극층을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자
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제 3 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 투명전극층의 표면 특성은 아르곤(Ar)에 첨가되는 산소(O2)유량에 의해 정해지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자
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제 4 항에 있어서, 상기 제2 투명전극층은 상기 제1 투명전극층 상에 약 50Å 정도의 간격으로 형성된 4개층으로 구성된 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자
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제 5 항에 있어서, 상기 제1 투명전극층에 사용되는 산소 유량은 4sccm인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자
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제 6 항에 있어서, 상기 제2 투명전극의 4개층에 사용되는 산소 용량은 50Å 간격으로 4sccm에서 3sccm까지 선형적으로 감소되게 적용되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자
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제 8 항에 있어서, 상기 선형적으로 감소되게 적용되는 산소 용량의 차는 약 0
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제 1 항에 있어서, 상기 유기 전계발광 표시소자는 패시브 또는 액티브 매트릭스 방식중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자
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제 10 항에 있어서, 상기 액티브 매트릭스 방식의 유기 전계발광 표시소자에 있어서 상기 발광영역이 정의된 기판과 투명전극 사이에는 상기 기판 상에 소정 간격으로 이격되게 형성된 반도체층 및 캐패시터 전극과, 상기 반도체층 상부에 순차적으로 적층된 게이트 절연막 및 게이트 전극과, 상기 캐패시터 전극 상부에 절연 후 상기 캐패시터 전극을 덮도록 형성된 파워 전극과, 상기 반도체층과 투명전극이 연결되도록 형성된 드레인전극과, 상기 반도체층과 파워전극이 연결되도록 상기 드레인전극과 동시에 형성된 소스전극과, 상기 소스 전극, 드레인전극 및 파워전극 상부에 형성되어 상기 투명전극에 의한 발광영역을 지정함과 아울러 박막트랜지스터를 보호하는 보호층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자
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제 10 항에 있어서,상기 패시브 방식의 유기 전계발광 표시소자에서는 상기 다층 구조의 투명전극 상의 소정 위치에 형성되어 상기 투명전극 간의 전기적 절연을 하기 위한 절연막과,상기 절연막 상에 형성되어 상기 금속전극을 분리시키는 격벽을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자
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발광영역이 정의된 기판 상에 제1 투명전극을 형성하는 단계와, 상기 제1 투명전극 상에 선형적으로 조절된 산소유량에 따라 제어된 둘 이상의 층으로 형성된 제2 투명전극을 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2 투명전극이 형성된 기판 상의 발광영역 상에 유기 발광물질을 도포하여 유기 발광층을 형성하는 단계와, 상기 유기 발광층 상에 상기 제1 및 제2 투명전극과 함께 전기적 신호가 인가되도록 상기 기판 전면에 금속전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 발광 영역이 정의된 기판은 박막트랜지스터를 포함한 기판인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 투명전극은 산화인듐(In2O3)에 산화주석(SnO2)을 도핑한 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자의 제조방법
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제 15 항에 있어서, 상기 제1 투명전극을 형성하는 단계는 상기 기판을 스퍼터링을 위한 챔버 내에 배열하는 단계와, 상기 챔버내에 아르곤(Ar)에 4sccm의 산소(O2)가 주입된 가스를 이용하여 상기 인듐 틴 옥사이드를 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자의 제조방법
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제 16 항에 있어서, 상기 제1 투명전극은 약 1200Å정도로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자의 제조방법
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제 15 항에 있어서, 상기 제2 투명전극은 50Å 간격으로 4층 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자의 제조방법
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제 18 항에 있어서, 상기 4층 구조의 제2 투명전극은 아르곤(Ar)에 3 내지 4sccm 사이의 산소가 선형적으로 감소되게 주입된 가스를 이용하여 상기 인듐 틴 옥사이드를 증착하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자의 제조방법
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제 17 항에 있어서, 상기 4층 구조의 제2 투명전극을 형성하는 단계는 상기 제1 투명전극이 형성된 투명기판을 스퍼터링을 위한 챔버 내에 배열하는 단계와, 상기 챔버내에 아르곤(Ar)에 3
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제 14 항에 있어서, 상기 박막트랜지스터를 포함한 기판을 형성하는 단계는 상기 발광영역이 정의된 기판을 구비하는 단계와, 상기 기판 상에 소정 간격으로 이격된 액티브층 및 캐패시터 전극을 형성하는 단계와, 상기 액티브층의 중앙부에 게이트 절연막 및 게이트 전극을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 캐패시터 전극을 덮도록 상기 기판 상에 파워 전극을 형성하는 단계와, 상기 액티브층이 형성된 기판을 이온 도핑하여 반도체층을 완성하는 단계와, 상기 반도체층 및 파워 전극의 소정 영역을 노출시키는 단계와, 상기 노출된 소정 영역을 통하여 소정 간격으로 이격된 소스 및 드레인전극을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광표시소자의 제조방법
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제 21 항에 있어서, 상기 투명전극 형성 후 발광영역을 지정함과 아울러 상기 박막트랜지스터를 보호하기 위해 상기 기판 상에 형성된 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광표시소자의 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 유기 발광층을 형성하는 단계는 상기 제1 및 제2 투명전극이 순차적으로 적층된 기판 상에 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 순차적으로 적층되도록 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광표시소자의 제조방법
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제 23 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 투명전극이 순차적으로 적층된 기판과 상기 유기 발광층의 정공주입층과의 접촉각은 약 27°정도인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광표시소자의 제조방법
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제 23 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 투명전극이 순차적으로 적층된 기판과 상기 유기 발광층의 정공주입층과의 접촉각은 약 27°정도인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광표시소자의 제조방법
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