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기판과;상기 기판 상에 마련되며, 고농도 불순물 이온이 도핑된 소오스/드레인 영역과, 고농도 불순물 이온이 연속적 농도 변화를 갖도록 도핑된 LDD 영역 및 고농도 불순물 이온이 도핑되지 않은 채널 영역이 구비된 결정성 반도체막과;상기 결정성 반도체막 위에 형성되며, 상기 LDD 영역의 상부 및 상기 LDD 영역에 인접한 채널 영역의 상부에는 돌출되어 타 영역에 비하여 상대적으로 두껍게 형성되고, 상기 LDD 영역의 상부는 바깥쪽(소오스/드레인 영역) 방향으로 그 두께가 감소되도록 경사지게 형성된 게이트 절연막과;상기 LDD 영역에 인접한 채널 영역의 상부에 돌출되어 형성된 게이트 절연막의 상부 및 그 돌출된 게이트 절연막 사이의 상부에 형성된 게이트 전극과;상기 게이트 절연막 및 게이트 전극 위에 형성된 층간 절연막; 및상기 층간 절연막 및 게이트 절연막에 형성된 비아 홀을 통하여 상기 소오스/드레인 영역과 연결되며, 상기 층간 절연막 상부에 형성된 소오스/드레인 전극; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제 1항에 있어서, 상기 기판과 결정성 반도체막 사이에, 상기 기판을 통한 불순물의 영향을 줄이기 위하여 버퍼층이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제 1항에 있어서, 상기 결정성 반도체막에 형성되는 LDD 영역의 길이는, 상기 게이트 전극의 길이에 비하여 상대적으로 짧게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 의하여 형성된 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극과 층간 절연막 위에 형성된 보호막; 및 상기 드레인 전극 위에 형성된 콘텍트 홀을 통하여 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 보호막의 일부 영역 위에 겹쳐서 형성되며, 영상 표시를 위하여 마련되는 화소 전극; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자
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기판 위에 결정성 반도체막을 형성하는 단계와;상기 결정성 반도체막을 소정의 형태로 패터닝하고, 그 패터닝된 결정성 반도체막 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막 상의 소정의 두 영역(추후 LDD가 형성될 영역 부근)에 포토 레지스트막이 돌출되도록 패터닝하여 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막에 대한 건식 식각을 수행하여, 상기 포토 레지스트막이 형성된 영역 하부의 게이트 절연막은 식각되지 않도록 유지시키고, 상기 포토 레지스트막이 형성되지 않은 영역의 게이트 절연막은 식각하여 얇게 형성하는 단계와;상기 포토 레지스트막을 제거하고, (상기 포토 레지스트막이 형성되어 있던 영역으로서)상부로 돌출된 게이트 절연막 사이 및 인접한 상기 돌출 영역의 게이트 절연막 일부 상에 게이트 전극을 패터닝하여 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막에 대한 습식 식각을 수행하고, 상기 돌출된 게이트 절연막 중에서 상기 게이트 전극이 형성되지 않은 영역의 게이트 절연막은, 상기 게이트 전극이 형성된 영역에서부터 바깥쪽으로 그 두께를 감소시켜 완만한 경사를 갖도록 형성시키는 단계와;상기 게이트 절연막의 상부에서 고농도 불순물 이온을 도핑시켜, 상기 게이트 전극이 형성된 영역 하부에 대응되는 상기 결정성 반도체막은 고농도 불순물 이온이 도핑되지 않은 채널 영역으로, 상기 게이트 전극이 형성되지 않은 영역의 돌출된 게이트 절연막 하부에 대응되는 상기 결정성 반도체막은 고농도 불순물 이온이 연속적 농도변화를 갖는 LDD 영역으로, 상기 돌출된 게이트 절연막의 바깥 영역 하부에 대응되는 상기 결정성 반도체막은 고농도 불순물 이온이 도핑된 소오스/드레인 영역으로 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막 및 게이트 전극 위에 층간 절연막을 형성하는 단계; 및상기 소오스/드레인 영역 위의 층간 절연막 및 게이트 절연막에 비아 홀을 형성하고, 그 비아 홀이 형성된 영역 위에 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 LDD 영역에 도핑되는 고농도 불순물 이온의 농도는, 상기 결정성 반도체막의 소오스/드레인 영역에서 채널 영역으로 갈수록 그 농도가 엷어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 게이트 전극의 하부에 형성된 게이트 절연막의 두께는 일정하지 않으며, 상기 게이트 전극의 양단부(LDD 형성 영역 부근)에 형성된 게이트 절연막은 상부로 돌출되어 상대적으로 그 두께가 두꺼운 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 상부로 돌출된 게이트 절연막 중에서 상기 게이트 전극이 형성되지 않은 영역의 게이트 절연막은, 게이트 전극이 형성된 영역에서부터 바깥쪽으로 완만한 경사로 형성되며, 그 돌출된 게이트 절연막의 경사 기울기(두께 변화)에 의하여 LDD 영역에 도핑되는 고농도 불순물 이온의 농도가 점진적으로 변화되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 결정성 반도체막에 형성되는 LDD 영역의 길이는, 상기 게이트 전극의 길이에 비하여 상대적으로 짧게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 결정성 반도체막에 형성되는 LDD 영역의 길이는, 상기 게이트 전극의 길이에 비하여 상대적으로 짧게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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