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발광 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015025450
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요약 본 발명에 따른 발광 다이오드는, n형층, 활성층, p형층으로 이루어진 반도체층과; 상기 반도체층의 n형층 또는 p형층 상에 형성되는 제 1, 제 2전극; 및 상기 제 1, 제 2전극을 통해 상기 반도체층에 인가되는 전류의 확산 경로를 제공하며, 암(arm) 구조를 갖는 제 1, 제 2보조전극; 을 포함하여 구성된다. 본 발명에 따른 발광 다이오드의 제조방법은, 기판상에 n형층, 활성층, p형층을 순차로 적층하여 다층구조의 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 반도체층의 소정 영역과 테두리 영역을 식각하여 n형층을 노출시키고, 상기 소정 영역에 제 1전극을 형성하고, 상기 테두리 영역에 암(arm) 구조를 갖는 제 1보조전극을 형성하는 단계; 및 상기 반도체층의 p형층 상에 제 2전극을 형성하고, 상기 p형 전극과 도통되며 암(arm) 구조를 갖는 제 2보조전극을 형성하는 단계; 를 포함하여 이루어진다. 이와 같은 본 발명은, 암 구조의 제 1, 제2 보조전극이 추가로 형성됨으로써 전류 확산 균일성이 우수하고, n형층을 둘러싸는 구조의 제 1보조전극이 일면 개방부를 갖도록 형성됨으로써 와이어 본딩(wire bonding) 및 칩의 소형화에 유리하다. 발광 다이오드, 전류 확산, 보조 전극, 암(arm)
Int. CL H01L 33/38 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/14 (2010.01.01) H01L 33/42 (2010.01.01)
CPC H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01)
출원번호/일자 1020020043219 (2002.07.23)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-0489037-0000 (2005.05.02)
공개번호/일자 10-2004-0009309 (2004.01.31) 문서열기
공고번호/일자 (20050511) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.07.23)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조범철 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 오장구 대한민국 광주광역시북구
3 고은주 대한민국 광주광역시 광산구
4 이종익 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허용록 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2002-0234705-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.01.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2004-0009841-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0243420-27
5 의견서
Written Opinion
2004.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2004-0375701-12
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2004.08.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0375700-77
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2005.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0008362-11
8 명세서 등 보정서 (심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2005.03.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2005-0004543-23
9 등록결정서
Decision to grant
2005.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0157844-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형층, 활성층, p형층으로 이루어진 반도체층;상기 n형층 위에 형성된 제 1 전극;상기 제 1 전극을 통해 상기 반도체층에 인가되는 전류의 확산 경로를 제공하며, 상기 제 1 전극과 일체로 형성되면서 상기 n형층의 가장자리 둘레를 따라 일측면이 개방된 암(arm) 구조를 갖도록 형성된 제 1 보조전극;상기 p형층 위에 형성된 제 2 전극;상기 제 2 전극을 통해 상기 반도체층에 인가되는 전류의 확산 경로를 제공하며, 상기 제 2 전극과 일체로 형성되면서 상기 제 2 전극을 중심으로 가지 형태의 암(arm) 구조를 갖는 제 2 보조전극;을 포함하여 구성되며,상기 제 2 전극은 상기 p형층 위의 일측에 형성되고, 상기 제 2 보조전극은 상기 제 1 전극을 향해 팔(八)자 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
2 2
제 1항에 있어서, 상기 반도체층의 p형층과 상기 제 2전극 및 제 2 보조전극 사이에 투명전극층이 더 형성됨을 특징으로 하는 발광 다이오드
3 3
제 1항에 있어서,상기 제 1 보조전극은 상기 제 2 전극이 형성된 측면을 제외하고 상기 n형층 위의 3개 측면에 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
4 4
삭제
5 5
(a) 기판상에 n형층, 활성층, p형층을 순차로 적층하여 다층구조의 반도체층을 형성하는 단계와;(b) 상기 반도체층의 소정 영역과 테두리 영역을 식각하여 n형층을 노출시키고, 상기 소정 영역에 제 1전극과, 상기 제 1 전극과 일체로 형성되면서 상기 제 1 전극과 대향하는 테두리 영역이 개방된 암(arm) 구조를 갖는 제 1보조전극을 형성하는 단계; 및(c) 상기 반도체층의 p형층 상의 일측에 제 2전극과, 상기 제 2전극과 일체로 형성되면서, 상기 제 2 전극을 중심으로 가지 형태의 암(arm) 구조를 갖는 제 2보조전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 반도체층의 p형층과 상기 제 2전극 및 제 2보조전극 사이에 투명전극층을 형성하는 단계; 가 더 포함됨을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
7 7
제 5항에 있어서, 상기 단계 (b)에 있어서 상기 제 1 보조전극은,상기 반도체층의 테두리 영역을 식각함에 따라 노출되는 n형층 둘레에 형성되며, n형층을 둘러싸는 사면 중 상기 제 2 전극이 형성된 측면을 제외한 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
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13 13
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14 13
삭제
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