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질화물 기판 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015025455
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요약 기판의 가장 자리를 얇게 가공하여 결정 성장시 그 가장 자리에 발생되는 다결정의 질화물층을 제거함으로써 후속 공정인 레이저 리프트 공정을 원활히 하는데, 이를 위해 본 발명은 가장 자리가 소정의 두께만큼 얇게 가공된 기판의 상부에 질화물층을 성장시키고, 그 성장이 완료되어 상기 두께가 얇게 가공된 기판의 가장 자리에 다결정의 질화물층이 성장되면, 상온(常溫)으로 온도를 내려 상기 기판의 가장 자리를 분리한 후, 기판의 이면에 레이저를 조사하여 기판과 질화물 결정이 성장된 질화물층을 분리하도록 한다. 단결정, 다결정, 질화물, 성장, 가장자리, 두께, 폭,
Int. CL H01L 29/78 (2006.01)
CPC H01L 21/02389(2013.01) H01L 21/02389(2013.01) H01L 21/02389(2013.01) H01L 21/02389(2013.01)
출원번호/일자 1020020047623 (2002.08.12)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0890085-0000 (2009.03.16)
공개번호/일자 10-2004-0014872 (2004.02.18) 문서열기
공고번호/일자 (20090324) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.26)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서주옥 대한민국 경기도의왕시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2002-0260270-03
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2007.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0543769-61
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0040936-79
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0375754-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.09.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0648365-48
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0648363-57
10 등록결정서
Decision to grant
2009.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0020834-80
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 가장 자리를 일정 두께(T)만큼 얇게 가공하는 제 1 단계와;상기 기판의 가장 자리에 다결정 질화물층을 성장시키고, 그 외의 영역에 단결정 질화물층을 성장시키는 제 2 단계와;상기 제 2 단계를 통해 상기 두께가 얇게 가공된 기판의 가장 자리에 다결정의 질화물층이 성장된 후, 상온(常溫)으로 온도를 내려 열팽창 계수의 차이에 의해 스트레인(strain)을 발생시키고, 발생된 스트레인에 의해 상기 기판의 두께가 얇은 가장 자리 부분을 분리하는 제 3 단계와; 상기 제 3 단계를 통해 두께가 얇은 기판의 가장 자리가 분리되면, 상기 기판으로 레이저를 조사하여 기판과 질화물 결정이 성장된 질화물층을 분리하는 제 4 단계로 이루어지는 질화물 기판 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계와 제 4 단계 사이에; 상기 두께가 얇게 가공된 기판의 가장 자리가 분리되면, 분리된 기판의 가장 자리와 접촉했던 영역을 폴리싱(polishing) 처리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 기판 제조 방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판 가장 자리의 두께 T는; 10 ~ 1000㎛이고, 상기 기판 가장 자리의 폭은; 1 ~ 5mm인 것을 특징으로 하는 질화물 기판 제조 방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판은; 기판은 사파이어(Al2O3), 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘과 갈륨 비소(GaAs) 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 기판 제조 방법
5 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판은; 기판은 사파이어(Al2O3), 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘과 갈륨 비소(GaAs) 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 기판 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.