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질화 갈륨계 반도체 발광 다이오드 제조방법

  • 기술번호 : KST2015025526
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 질화 갈륨계 반도체 발광 다이오드의 제조방법은, 기판 위에 복수의 undoped GaN/InxGa1-xN 완충층(여기서, 0 ≤x ≤1)을 적층 구조로 성장시키는 단계와; 성장된 복수의 undoped GaN/InxGa1-xN 완충층 위에 n-GaN 막의 제 1 전극층을 성장시키는 단계와; 제 1 전극층 위에 다중양자우물 구조의 활성층을 성장시키는 단계와; 활성층 위에 p-GaN 막의 제 2 전극층을 성장시키는 단계; 를 포함하여 구성되며, undoped GaN/InxGa1-xN 완충층이 적층 구조로 성장됨에 있어, undoped GaN 완충층의 성장 온도를 x℃라 하고, InxGa1-xN 완충층의 성장 온도를 y℃라 할 때, 성장 온도 x, y는 2x ≤y의 관계를 갖는 점에 그 특징이 있다. 여기서 본 발명에 의하면, undoped GaN/InxGa1-xN 완충층은 1층 내지 50층 사이의 적층 구조로 성장되며, undoped GaN 완충층은 300~800℃에서 1~1000Å의 두께로으로 성장되고, InxGa1-xN 완충층은 1000~1600℃에서 1~1000Å의 두께로 성장되는 점에 그 특징이 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/16 (2010.01.01) H01L 33/06 (2010.01.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020020049011 (2002.08.19)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-0489039-0000 (2005.05.02)
공개번호/일자 10-2004-0016725 (2004.02.25) 문서열기
공고번호/일자 (20050511) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.08.19)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손효근 대한민국 대전광역시대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허용록 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2002-0266882-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.03.12 수리 (Accepted) 9-1-2004-0015640-35
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0304642-10
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2004-0437540-01
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2004-0496608-23
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2004-0559132-14
8 의견서
Written Opinion		 2004.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2004-0620588-29
9 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.12.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0620587-84
10 등록결정서
Decision to grant		 2005.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0171709-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
기판 위에 복수의 undoped GaN/InxGa1-xN 완충층(여기서, 0 ≤x ≤1)을 적층 구조로 성장시키는 단계와; 상기 성장된 복수의 undoped GaN/InxGa1-xN 완충층 위에 n-GaN 막의 제 1 전극층을 성장시키는 단계와; 상기 제 1 전극층 위에 다중양자우물 구조의 활성층을 성장시키는 단계와; 상기 활성층 위에 p-GaN 막의 제 2 전극층을 성장시키는 단계; 를 포함하여 구성되며, 상기 undoped GaN/In x Ga 1-x N 완충층이 적층 구조로 성장됨에 있어, 상기 undoped GaN 완충층의 성장 온도를 x℃라 하고, 상기 In x Ga 1-x N 완충층의 성장 온도를 y℃라 할 때, 상기 성장 온도 x, y는 2x ≤y의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 발광 다이오드의 제조방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 undoped GaN/InxGa1-xN 완충층이 적층 구조로 성장됨에 있어, 상기 undoped GaN/InxGa1-xN 완충층은 1층 내지 50층 사이의 적층 구조로 성장되는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 반도체 발광 다이오드의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 2항에 있어서, 상기 undoped GaN/InxGa1-xN 완충층이 적층 구조로 성장됨에 있어, 상기 undoped GaN 완충층은 300~800℃에서 성장되며, 그 성장 두께는 1~1000Å으로 성장되는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 발광 다이오드의 제조방법
6 6
제 2항에 있어서, 상기 undoped GaN/InxGa1-xN 완충층이 적층 구조로 성장됨에 있어, 상기 InxGa1-xN 완충층은 1000~1600℃에서 성장되며, 그 성장 두께는 1~1000Å으로 성장되는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 발광 다이오드의 제조방법
7 7
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8 7
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