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실리콘 기판 페시베이션을 이용한 고품질갈륨나이트라이드 기판 제조방법

  • 기술번호 : KST2015025553
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 GaN 후막을 성장시킬 때 사용되어지는 Si기판을 페시베이션(passivation) 시켜 고품질 GaN기판을 제조하는 것에 관한 것으로써, 유전체 레이어를 이용하여 Si 기판을 페시베이션(passivation) 시키는 단계와; 상기 단계후 GaN를 고온에서 안정되게 성장 시키는 단계로 구성하여 원하지 않는 불순물들이 기판으로부터 후막으로 이동되어지는 것을 막을 수 있는 효과가 발생한다. GaN후막성장, Si기판
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01)
출원번호/일자 1020020042162 (2002.07.18)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0912313-0000 (2009.08.07)
공개번호/일자 10-2004-0008523 (2004.01.31) 문서열기
공고번호/일자 (20090814) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.29)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진교 대한민국 서울특별시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허용록 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2002-0228974-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
2007.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0475006-25
4 출원심사청구서
Request for Examination
2007.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0476060-59
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0604615-95
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.01.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0024054-20
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0024055-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
10 등록결정서
Decision to grant
2009.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0231137-68
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
Si 기판 상에 GaN를 증착하는 단계; 상기 Si 기판의 측면 및 하단을 유전체 물질로 페시베이션(passivation)시키는 단계; 1000도 이상에서 성장시킨 후 상기 Si 기판 및 상기 유전체 물질을 화학적 식각 방법에 의해 제거하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 고품질 GaN 기판 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 유전체 물질은 SiO2 혹은 SiN 인 것을 특징으로 하는 고품질 GaN 기판 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 페시베이션 단계는 상기 Si 기판과 상기 GaN의 경계면을 상기 유전체 물질로 더 페시베이션(passivation) 시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고품질 GaN 기판 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.