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발광다이오드 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015025565
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명에 따른 발광다이오드는, n형층, 활성층, p형층을 갖는 복수의 반도체층과; 상기 각 반도체층의 n형층 및 p형층에 병렬로 연결된 제 1전극 및 제 2전극; 을 포함하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 복수의 반도체층은 그 사이에 형성된 절연막에 의해 서로 분리되고, 상기 제 1전극은 각 반도체층을 분리시키는 절연막을 횡단하여 분리된 n형층들 상에 형성되며, 상기 제 2전극은 투광성 도전물질로 형성됨을 특징으로 한다. 그리고 상기 제 2전극은 각 반도체층을 분리시키는 절연막을 횡단하여 분리된 p형층들 상에 형성되고, 상기 제 1, 제 2전극에는 상기 분리된 반도체층의 n형층 및 p형층을 각각 병렬로 연결시키는 제 1, 제 2전극패드가 형성됨을 특징으로 한다. 이러한 본 발명에 따른 발광다이오드는 전류 확산 균일성이 우수하므로 발광효율이 좋고, 동작수명이 길다. 다이오드, 전류 확산 균일성, 발광효율, 활성층
Int. CL	H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/14 (2010.01.01) H01L 33/42 (2010.01.01) H01L 33/38 (2010.01.01)
CPC	H01L 33/0008(2013.01) H01L 33/0008(2013.01) H01L 33/0008(2013.01) H01L 33/0008(2013.01) H01L 33/0008(2013.01)
출원번호/일자	1020020039764 (2002.07.09)
출원인	엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자	10-0495004-0000 (2005.06.02)
공개번호/일자	10-2004-0005270 (2004.01.16) 문서열기
공고번호/일자	(20050610) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2002.07.09)
심사청구항수	8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지이노텍 주식회사	대한민국	서울특별시 강서구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	최성철	대한민국	전라북도익산시

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	허용록	대한민국	서울특별시 강남구 역삼로 **, 층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지이노텍 주식회사	대한민국	서울특별시 강남구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2002.07.09	수리 (Accepted)	1-1-2002-0218754-69
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2004.01.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2004.02.13	수리 (Accepted)	9-1-2004-0009634-75
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2004.04.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2004-0161314-95
5	명세서 등 보정서 Amendment to Description, etc.	2004.06.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2004-0282174-02
6	의견서 Written Opinion	2004.06.28	수리 (Accepted)	1-1-2004-0282175-47
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2004.11.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2004-0505051-51
8	명세서 등 보정서 Amendment to Description, etc.	2005.01.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0050973-70
9	의견서 Written Opinion	2005.01.27	수리 (Accepted)	1-1-2005-0050972-24
10	등록결정서 Decision to grant	2005.05.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0221941-22
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2006.05.16	수리 (Accepted)	4-1-2006-5066791-07
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2006.05.19	수리 (Accepted)	4-1-2006-5068944-32
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.07.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5146412-87
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.02.24	수리 (Accepted)	4-1-2010-5032116-06
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.10.27	수리 (Accepted)	4-1-2014-0093826-77
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.03.08	수리 (Accepted)	4-1-2017-5035901-08
17	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.07.18	수리 (Accepted)	4-1-2018-5136723-03
18	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.01.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5011221-01

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 n형층, 활성층, p형층을 갖는 복수의 반도체층과; 상기 복수의 반도체층을 서로 독립적으로 분리시키는 절연막과; 상기 각 반도체층의 n형층 및 p형층에 병렬로 연결된 제 1전극 및 제 2전극; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
2	2 삭제
3	3 제 1항 에 있어서, 상기 제 1전극은 각 반도체층을 분리시키는 절연막을 횡단하여 분리된 n형층들 상에 형성됨을 특징으로 하는 발광다이오드
4	4 제 1항에 있어서, 상기 제 2전극은 투광성 도전물질로 형성됨을 특징으로 하는 발광다이오드
5	5 제 1항에 있어서, 상기 제 2전극은 각 반도체층을 분리시키는 절연막을 횡단하여 분리된 p형층들 상에 형성됨을 특징으로 하는 발광다이오드
6	6 제 1항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 전극에는 상기 분리된 반도체층의 n형층 및 p형층을 각각 병렬로 연결시키는 제 1, 제 2 전극패드가 형성됨을 특징으로 하는 발광 다이오드
7	7 (a) 기판상에 n형층, 활성층, p형층을 순차적으로 적층하여 다층구조의 반도체층을 형성하는 단계와; (b) 상기 반도체층의 소정 영역을 식각하여 n형층을 노출시키고, 다시 상기 반도체층을 소정 라인을 따라 식각하여 기판을 드러내고, 이때 형성된 식각홈에 절연물질을 인입하여 형성한 절연막에 의해 상기 반도체층을 복수로 분리하는 단계; 및 (c) 상기 복수로 분리된 반도체층의 n형층들을 병렬로 연결시키는 제 1전극을 형성하고, 상기 복수로 분리된 반도체층의 p형층들을 병렬로 연결시키는 제 2전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
8	8 삭제
9	9 제 7항 에 있어서, 상기 단계 (c)의 제 1전극은, 상기 절연막에 의해 분리된 각 반도체층의 n형층과 모두 도통되도록 형성됨을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
10	10 제 7항에 있어서, 상기 단계 (c)의 제 2전극은, 상기 절연막에 의해 분리된 각 반도체층의 p형층 상부 표면전체를 덮도록 형성되며, 투광성 도전물질로 형성됨을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
11	10 제 7항에 있어서, 상기 단계 (c)의 제 2전극은, 상기 절연막에 의해 분리된 각 반도체층의 p형층 상부 표면전체를 덮도록 형성되며, 투광성 도전물질로 형성됨을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0495004-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20020709 출원 번호 : 1020020039764 공고 연월일 : 20050610 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20050516 청구범위의 항수 : 8 유별 : H01L 33/00 발명의 명칭 : 발광다이오드 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20180603

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강남구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	513,000 원	2005년 06월 03일	납입
제 4 년분	금 액	235,000 원	2008년 06월 03일	납입
제 5 년분	금 액	216,000 원	2009년 06월 02일	납입
제 6 년분	금 액	216,000 원	2010년 04월 30일	납입
제 7 년분	금 액	404,000 원	2011년 03월 18일	납입
제 8 년분	금 액	404,000 원	2012년 03월 05일	납입
제 9 년분	금 액	404,000 원	2013년 05월 06일	납입
제 10 년분	금 액	680,000 원	2014년 04월 23일	납입
제 11 년분	금 액	680,000 원	2015년 05월 06일	납입
제 12 년분	금 액	680,000 원	2016년 05월 04일	납입
제 13 년분	금 액	800,000 원	2017년 05월 12일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2002.07.09	수리 (Accepted)	1-1-2002-0218754-69
2	선행기술조사의뢰서	2004.01.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2004.02.13	수리 (Accepted)	9-1-2004-0009634-75
4	의견제출통지서	2004.04.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2004-0161314-95
5	명세서 등 보정서	2004.06.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2004-0282174-02
6	의견서	2004.06.28	수리 (Accepted)	1-1-2004-0282175-47
7	의견제출통지서	2004.11.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2004-0505051-51
8	명세서 등 보정서	2005.01.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0050973-70
9	의견서	2005.01.27	수리 (Accepted)	1-1-2005-0050972-24
10	등록결정서	2005.05.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0221941-22
11	출원인정보변경(경정)신고서	2006.05.16	수리 (Accepted)	4-1-2006-5066791-07
12	출원인정보변경(경정)신고서	2006.05.19	수리 (Accepted)	4-1-2006-5068944-32
13	출원인정보변경(경정)신고서	2009.07.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5146412-87
14	출원인정보변경(경정)신고서	2010.02.24	수리 (Accepted)	4-1-2010-5032116-06
15	출원인정보변경(경정)신고서	2014.10.27	수리 (Accepted)	4-1-2014-0093826-77
16	출원인정보변경(경정)신고서	2017.03.08	수리 (Accepted)	4-1-2017-5035901-08
17	출원인정보변경(경정)신고서	2018.07.18	수리 (Accepted)	4-1-2018-5136723-03
18	출원인정보변경(경정)신고서	2020.01.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5011221-01


기술번호	KST2015025565
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	발광다이오드 및 그 제조방법
기술개요	본 발명에 따른 발광다이오드는, n형층, 활성층, p형층을 갖는 복수의 반도체층과; 상기 각 반도체층의 n형층 및 p형층에 병렬로 연결된 제 1전극 및 제 2전극; 을 포함하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 복수의 반도체층은 그 사이에 형성된 절연막에 의해 서로 분리되고, 상기 제 1전극은 각 반도체층을 분리시키는 절연막을 횡단하여 분리된 n형층들 상에 형성되며, 상기 제 2전극은 투광성 도전물질로 형성됨을 특징으로 한다. 그리고 상기 제 2전극은 각 반도체층을 분리시키는 절연막을 횡단하여 분리된 p형층들 상에 형성되고, 상기 제 1, 제 2전극에는 상기 분리된 반도체층의 n형층 및 p형층을 각각 병렬로 연결시키는 제 1, 제 2전극패드가 형성됨을 특징으로 한다. 이러한 본 발명에 따른 발광다이오드는 전류 확산 균일성이 우수하므로 발광효율이 좋고, 동작수명이 길다. 다이오드, 전류 확산 균일성, 발광효율, 활성층
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

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