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질화물 반도체 레이저 다이오드

  • 기술번호 : KST2015025690
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로, 리지의 측면에 각기 다른 굴절률을 갖고, λ/4ni(λ : 방출되는 광의 파장, ni : 유전막 각각의 굴절률)의 두께를 갖는 둘 이상의 유전막들을 적층시켜, 미러(Mirror)의 역할을 수행하는 HR 코팅(High-Reflection mirror facet coating)막으로 형성함으로써, 광의 측면구속(Lateral Confinement)을 향상시키고, 이와 동시에 광 이득(Optical Gain)을 향상시키게 되는 효과가 발생된다. 더불어, 본 발명의 질화물 반도체 레이저 다이오드는 광의 측면구속의 향상으로 방사각의 비 특성도 향상시키게 되고, 광 이득이 향상되어 낮은 문턱전압과 높은 외부양자효율을 얻을 수 있는 효과도 발생한다. 질화물, 반도체, 레이저, 다이오드, 유전막, 미러, HR, 방사각
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020053871 (2002.09.06)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0896370-0000 (2009.04.28)
공개번호/일자 10-2004-0022049 (2004.03.11) 문서열기
공고번호/일자 (20090508) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.29)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성원 대한민국 서울특별시마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2002-0292523-43
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2007.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0629044-73
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0455614-98
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0744984-19
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0744971-26
8 등록결정서
Decision to grant		 2009.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0090215-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 질화물 반도체 적층막과 p형 질화물 반도체 적층막 사이에 다중 양자 우물층이 형성되고, 상기 p형 질화물 반도체 적층막은 일부가 식각되어 리지 형상의 p클래드층이 형성되고, 상기 리지 형상의 p클래드층 양측에 유전막이 형성되며, 상기 n형 질화물 반도체 적층막과 p형 질화물 반도체 적층막 사이에 전류가 공급되어 상기 다중 양자 우물층에서 광이 방출되는 질화물 반도체 레이저 다이오드에 있어서, 상기 유전막은 각기 다른 굴절률을 갖고, λ/4ni(λ : 방출되는 광의 파장, ni : 유전막 각각의 굴절률)의 두께를 갖는 둘 이상의 유전막들이 적층된 적층 유전막인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 n형 질화물 반도체 적층막과 p형 질화물 반도체 적층막은 InGaN, GaN과 AlGaN 중 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 적층 유전막은 SiO2, MgO, TiO2와 ZrO2들을 적어도 둘 이상 선택하여 적층시킨 막인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.