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평판 디스플레이 소자를 기판 상에 제조하는 단계; 보호막을 형성하기 위해, 상기 기판 상에 제조된 상기 평판 디스플레이 소자를 챔버 내에 배치하는 단계; 상기 보호막을 구성하는 원소를 포함하되, 산소 플라즈마, 질소 플라즈마, 및 암모니아 플라즈마 중에서 적어도 하나를 포함하는 전구체를 상기 챔버에 주입하는 단계; 및상기 전구체들 간의 표면화학반응을 통하여 플라즈마 인핸스드 원자층 증착법으로 20 내지 220℃의 온도에서 무기 절연막의 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 평판 디스플레이 소자의 보호막 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 평판 디스플레이 소자는 기판 상에 제 1 전극, 발광층 및 제 2 전극을 포함하여 제조된 유기발광소자이고, 기판을 통과하여 발광하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 소자의 보호막 형성방법
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제 2 항에 있어서, 상기 무기절연막에 유기절연막 및/또는 보호막용 금속막을 부가하여 2중층, 3중층 또는 이러한 적층구조를 1회 이상 반복하여 적층한 다적층구조로 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 소자의 보호막 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 평판 디스플레이 소자는 기판 상에 제 1 전극, 발광층 및 제 2 전극을 포함하여 제조된 유기발광소자이고, 탑에미션 방식으로 발광하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 소자의 보호막 형성방법
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제 4 항에 있어서, 상기 무기절연막에 유기절연막을 부가하여 2중층 또는 이러한 적층구조를 1회 이상 반복하여 적층한 다적층구조로 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 소자의 보호막 형성방법
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 무기 절연막은 알루미늄옥사이드, 징크옥사이드, 타이타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 지르코늄옥사이드, 하프늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 알루미늄옥시나이트라이드 중 어느 하나 인것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 소자의 보호막 형성방법
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제 3 또는 제 5 항에 있어서, 상기 유기 절연막은 TCVDPF(Thermal Chemical-Vapor-Deposition Polymer)박막인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 소자의 보호막 형성방법
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 기판은 유리기판 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 소자의 보호막 형성 방법
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