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레이저 결정화 공정을 이용한 폴리실리콘층의 제조 방법 및 그 제조장치

  • 기술번호 : KST2015025741
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는, 대기 상태 레이저 결정화 공정을 이용한 폴리실리콘층의 제조 방법에 의하면, 별도의 레이저 조사창없이도 표면 거칠기가 작은 폴리실리콘층을 제공할 수 있어 신뢰성있는 소자를 제공할 수 있으며, 별도의 레이저 조사창의 생략으로 기존의 레이저 조사창에 불순물이 부착됨에 따라 나타나는 공정 불량을 제거할 수 있어, 고가의 재료 비용을 절감할 수 있으므로, 생산수율 및 제품 경쟁력을 높일 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01)
출원번호/일자 1020020056195 (2002.09.16)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0935850-0000 (2009.12.30)
공개번호/일자 10-2004-0024758 (2004.03.22) 문서열기
공고번호/일자 (20100108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.22)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최재식 대한민국 부산광역시기장군
2 조덕용 대한민국 경상남도김해시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2002-0302848-56
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2007.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0606040-18
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2007.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0606030-51
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.06.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.06.20 수리 (Accepted) 9-1-2008-0039336-60
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0640058-07
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0074210-63
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.02.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0074208-71
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2009.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0275111-02
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0495105-85
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.08.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2009-0495103-94
13 등록결정서
Decision to grant
2009.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0533253-51
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비정질 실리콘층을 용융시킬 수 있는 에너지 밀도를 가지는 레이저 장치를 이용하여 폴리실리콘층을 제조하는 방법에 있어서, 대기 상태의 공정 챔버를 구비하는 단계와; 상기 공정 챔버 내에 비정질 실리콘층이 형성된 반도체 기판을 배치하는 단계와; 상기 반도체 기판 상부에 일정간격 이격되게 위치하며, 상기 레이저 장치에서 조사되는 레이저 빔의 경로와 중첩되지 않는 위치에서 상기 반도체 기판 상에 불활성 기체를 블로우하는 블로우 장치를 구비하는 단계와; 상기 반도체 기판 상에 레이저 빔을 조사하는 단계에서, 상기 레이저 빔이 조사되는 기판 영역에, 상기 블로우 장치를 통해 불활성 기체를 블로우하여 상기 실리콘층 표면의 산소 농도가 낮은 상태에서 결정화하는 단계 를 포함하며, 상기 레이저 빔은 대기를 통과하여 상기 반도체 기판 상에 직접 조사되는 레이저 결정화 공정을 이용한 폴리실리콘층의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 기판은, 베이스 기판(base substrate)과, 상기 베이스 기판 상에 형성된 버퍼층(buffer layer)을 포함하며, 상기 버퍼층 상부에 상기 비정질 실리콘층이 형성되어 있는 레이저 결정화 공정을 이용한 폴리실리콘층의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 챔버에는, 상기 레이저 빔을 통과시키는 개구부를 추가로 포함하는 레이저 결정화 공정을 이용한 폴리실리콘층의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 챔버에는, 상기 반도체 기판을 지지하고 움직이게 하는 스테이지(stage)를 추가로 포함하는 레이저 결정화 공정을 이용한 폴리실리콘층의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 불활성 기체는 질소(N2), 아르곤(Ar) 중 어느 하나에서 선택되는 레이저 결정화 공정을 이용한 폴리실리콘층의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 레이저 장치는 엑시머(eximer) 레이저 장치로 이루어진 레이저 결정화 공정을 이용한 폴리실리콘층의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 엑시머 레이저의 매질은 염화 크세논(XeCl)인 레이저 결정화 공정을 이용한 폴리실리콘층의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 엑시머 레이저 장치에서는, 308 nm의 자외선 파장을 가지는 레이저 빔이 조사되는 레이저 결정화 공정을 이용한 폴리실리콘층의 제조 방법
9 9
삭제
10 10
기판을 움직이게 하는 스테이지 및 레이저 빔이 통과되는 개구부를 가지는 대기 상태의 공정 챔버와; 상기 스테이지 상부에 배치되며, 비정질 실리콘층이 형성된 반도체 기판 상에 상기 레이저 빔이 조사되는 경로와 중첩되지 않는 위치에 일정 간격 이격되게 배치되며, 상기 반도체 기판 상에 불활성 기체를 블로우하는 블로우 장치와; 상기 공정 챔버 외부에 위치하며, 상기 반도체 기판 상에 대기를 통과하여 직접 레이저 빔을 조사하는 레이저 장치 를 포함하며, 상기 블로우 장치를 통해 상기 반도체 기판 표면에서의 산소 농도를 낮춘 상태에서, 상기 반도체 기판의 결정화 공정이 진행되는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 공정을 이용한 폴리실리콘층의 제조장치
11 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.