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기판상에 일정한 간격을 갖고 일방향으로 금속 페이스트와 카본 나노튜브를 혼합하여 형성되는 복수개의 게이트 배선과, 상기 게이트 배선과 동일 물질로 형성되고 상기 게이트 배선과 수직한 방향으로 일정한 간격을 갖고 형성되어 화소영역을 정의하는 복수개의 데이터 배선과, 상기 게이트 배선과 데이터 배선이 교차되어 정의된 각 화소영역에는 매트릭스 형태로 형성되는 화소전극과, 상기 게이트 배선의 신호에 의해 스위칭되어 상기 데이터 배선의 신호를 상기 각 화소전극에 전달하는 복수개의 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 7 항에 있어서, 상기 금속 페이스트의 금속 재료는 Ni, Al, Au, Ag, Al, Pd/Ag, Cr, Ta, Cu, Ba, LaB6, Ca0
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금속 페이스트와 카본 나노튜브를 혼합하여 도전체 페이스트를 형성하는 단계; 상기 도전체 페이스트를 이용하여 기판상에 화소영역을 정의하기 위하여 서로 교차하는 복수개의 게이트 배선 및 데이터 배선을 각각 형성하는 단계; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선에 적외선을 조사하여 건조 및 경화시키는 단계; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터에 연결되고 상기 게이트 배선과 데이터 배선이 교차되어 정의된 각 화소영역에 매트릭스 형태의 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 금속 페이스트의 금속 재료는 Ni, Al, Au, Ag, Al, Pd/Ag, Cr, Ta, Cu, Ba, LaB6, Ca0
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제 9 항에 있어서, 상기 게이트 배선 또는 데이터 배선은 금속 재료에 따라 증착법, 스퍼터링법, 스크린 인쇄법, 도금법 및 리프트오프법 중에서 어느 하나를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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