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마스크와 이를 이용한 실리콘 결정화방법

  • 기술번호 : KST2015025877
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘의 결정화 방법에 관한 것으로, 특히 그레인(grain)의 측면성장을 유도하는 방법(SLS : Sequential Lateral Solidification)에 사용되는 마스크의 구성과 이러한 마스크를 이용한 실리콘 결정화 방법에 관한 것이다. 본 발명은 SLS 방법으로 실리콘을 결정화하기 위해 사용하는 마스크의 설계를 변형하여, 기존의 2샷 방식으로 형성한 결정 영역을 1샷만으로 결정화가 진행되도록 한다. 이때, 투과영역과 차단영역으로 구성된 마스크의 구성 중 차단영역의 폭(평면적으로 세로길이)은 (1 샷당 성장한 그레인의 길이-(마스크의 투과영역의 폭/2))*2로 설계한다. 이와 같이 마스크를 구성하게 되면, 종래의 2샷방식에 비해 공정 시간을 대폭 절약할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 21/0268(2013.01) H01L 21/0268(2013.01) H01L 21/0268(2013.01)
출원번호/일자 1020020060704 (2002.10.04)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0482163-0000 (2005.03.31)
공개번호/일자 10-2004-0031314 (2004.04.13) 문서열기
공고번호/일자 (20050414) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.10.04)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상현 대한민국 서울특별시양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2002-0326896-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.07.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.08.18 수리 (Accepted) 9-1-2004-0049486-30
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0395129-10
5 의견서
Written Opinion		 2004.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2004-0544207-99
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.11.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0544206-43
7 대리인 변경 신고서
Agent change Notification		 2004.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2004-0544205-08
8 등록결정서
Decision to grant		 2005.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0132837-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 비정질 선행막을 증착하는 단계와; 상기 비정질 선행막이 증착된 기판의 상에 마스크를 위치시키는 단계에 있어서, 상기 마스크는 가로방향으로 연장된 라인 형상의 투과영역과 차단영역으로 구성되고, 평면적으로 상기 차단영역의 세로길이는, "((투과영역에 대응하여 성장하는 그레인의 길이-(투과영역의 세로길이/2))×2)로 구성된 마스크를 위치시키는 단계와; 상기 마스크의 상부에 레이저 빔을 조사하여, 상기 마스크에 대응한 영역을 결정화하는 단계와; 상기 마스크를 결정화된 영역의 가로 길이만큼 이동하여 레이저를 조사한 후, 마스크에 대응한 영역을 결정화하는 단계와; 상기 결정화 단계를 반복하여 기판의 가로방향으로의 결정화를 공정을 완료하는 단계와; 상기 마스크를 마스크에 대응하여 결정화된 영역의 세로 길이만큼 세로축으로 이동한 후 마스크의 상부에서 레이저를 조사하여, 상기 마스크에 대응한 영역을 결정화하는 단계와; 상기 결정화 공정을 반복하여 기판의 전면에 증착된 비정질 선행막을 결정화하는 단계를 포함하는 폴리실리콘 결정화 방법
2 2
가로방향으로 연장된 라인 형상의 투과영역과 차단영역으로 구성된 마스크에 있어서, 평면적으로 상기 차단영역의 세로길이는, "((투과영역에 대응하여 성장하는 그레인의 길이-(투과영역의 세로길이/2))×2)로 구성된 마스크
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 투과영역의 세로길이는, (투과영역에 대응하여 성장하는 그레인의 길이)×2 보다 작은 폴리실리콘 결정화 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 차단영역에는, 상기 차단영역의 상부와 하부 각각에 위치한 상기 투과영역에서 성장한 결정들이 만나게 되는 폴리실리콘 결정화 방법
5 5
제 2 항에 있어서, 상기 투과영역의 세로길이는, (투과영역에 대응하여 성장하는 그레인의 길이)×2 보다 작은 마스크
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.