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사파이어 웨이퍼 표면처리방법

  • 기술번호 : KST2015025888
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요약 본 발명은 사파이어 웨이퍼 표면처리방법에 대해 개시된다. 개시된 본 발명에 따른 사파이어 웨이퍼 표면처리방법은, 사파이어 웨이퍼를 연마하고 폴리싱하는 단계와; 상기 폴리싱된 사파이어 웨이퍼를 수소 플라즈마를 이용하여 표면을 세정하는 단계와; 상기 세정된 사파이어 웨이퍼를 질소 플라즈마를 이용하여 AlN 형성막을 형성하는 단계와; 상기 형성된 AlN 형성막에 n-GaN층, 활성층, p-GaN층을 순차적으로 증착하여 성장시키는 단계를 포함하는 점에 그 특징이 있다. 본 발명에 따른 웨이퍼의 연마 공정후에 표면처리를 수행하고, AlN 형성막을 형성하여 웨이퍼의 표면과 n-GaN 박막사이의 격자불일치로 인한 성장 결함을 감소시킬 있다. 사파이어 웨이퍼, AlN 형성막, 수소 플라즈마, 질소 플라즈마
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02458(2013.01) H01L 21/02458(2013.01) H01L 21/02458(2013.01) H01L 21/02458(2013.01) H01L 21/02458(2013.01)
출원번호/일자 1020020055882 (2002.09.13)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-0489041-0000 (2005.05.02)
공개번호/일자 10-2004-0024321 (2004.03.20) 문서열기
공고번호/일자 (20050511) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.09.13)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성재 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허용록 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2002-0301006-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.06.11 수리 (Accepted) 9-1-2004-0033107-33
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0345967-48
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2004.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2004-0487349-92
6 의견서
Written Opinion
2004.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2004-0550701-28
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2004.11.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0550700-83
8 등록결정서
Decision to grant
2005.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0132987-56
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
사파이어 웨이퍼를 연마하고 폴리싱하는 단계와; 상기 폴리싱된 사파이어 웨이퍼를 수소 플라즈마를 이용하여 표면을 세정하는 단계와; 상기 세정된 사파이어 웨이퍼를 질소 플라즈마를 이용하여 AlN 형성막을 형성하는 단계와; 상기 형성된 AlN 형성막에 n-GaN층, 활성층, p-GaN층을 순차적으로 증착하여 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 사파이어 웨이퍼 표면처리방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 사파이어 웨이퍼의 표면을 세정하는 단계에서 0
3 3
제 1항에 있어서, 상기 사파이어 웨이퍼의 표면을 세정하는 단계에서 수소 플라즈마에 의하여 세정하는 온도는 600℃인 것을 특징으로 하는 사파이어 웨이퍼 표면처리방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 질소 플라즈마를 이용하여 AlN 형성막을 형성하는 단계에서 0
5 4
제 1항에 있어서, 상기 질소 플라즈마를 이용하여 AlN 형성막을 형성하는 단계에서 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.