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질화물 반도체 레이저 다이오드 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015025914
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 스트라이프 형태의 금속 마스크를 이용하여 절연성의 기판 상부에 형성된 n-질화물층을 측면 성장시켜 톱-다운(top-down)형의 전극 구조를 갖는 질화물 반도체 레이저 다이오드 소자를 제작함으로써, 소자의 동작 전압이 강하되고, 유효 발광 면적이 증대되며, 표면 누설 전류가 감소되어 저항이 낮아짐으로써 열 발생량 및 소비 전력이 줄어들게 되어 소자의 수명이 증대된다. 질화물, 금속, 마스크, 톱-다운, 전극, LEO
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020053869 (2002.09.06)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0896371-0000 (2009.04.28)
공개번호/일자 10-2004-0022047 (2004.03.11) 문서열기
공고번호/일자 (20090508) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최윤호 대한민국 서울특별시성북구
2 전지나 대한민국 경기도안양시동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2002-0292521-52
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2007.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0629029-98
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0050404-81
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0455460-53
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0744991-39
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0745004-80
10 등록결정서
Decision to grant
2009.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0090216-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상부에 제 1 n-질화물층을 형성하는 제 1 단계와; 상기 제 1 n-질화물층 상부에 금속 박막을 증착하고 패터닝하여 금속 마스크를 형성하는 제 2 단계와; 상기 제 1 n-질화물층과 상기 제 1 마스크의 상부 영역 중 n-전극과 접촉될 영역에 성장 방지층을 형성하고, 상기 제 2 n-질화물층을 측면 성장시키는 제 3 단계와; 상기 성장 방지층과 측면 성장된 제 2 n-질화물층의 상부에 n-질화물 클래드층과 웨이브 가이드층, 활성층, p-질화물 웨이브 가이드층과 클래드층, p-질화물층을 순차적으로 형성하는 제 4 단계와; 상기 p-질화물층부터 상기 제 1 n-질화물층의 일부까지 메사 식각하여 상기 제 1 n-질화물층의 일부를 노출 및 상기 금속 마스크와 상기 금속 마스크 상부의 성장 방지층을 상기 제 1 n-질화물층으로부터 돌출시키고, 상기 p-질화물층부터 상기 p-질화물 클래드층까지 수직적으로 식각하여 상기 p-질화물 클래드층의 일부를 노출시키는 제 5 단계와; 상기 노출된 제 1 n-질화물층 상부에 잔존하는 성장 방지층을 제거하여 n-패드 전극을 형성하고, 상기 p-질화물층 상부에 p-패드 전극을 형성하는 제 6 단계로 이루어지는 질화물 반도체 레이저 다이오드 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 제 6 단계는; 상기 p-질화물층의 양 사이드(side) 및 상기 노출된 p-질화물 클래드층 상부에 패시베이션(passivation)층을 형성하는 것을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드 제조 방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금속 박막은; 텅스텐(W) 또는 티타늄(Ti)을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드 제조 방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 성장 방지층은; 실리콘 산화막(SiO2) 또는 실리콘 질화막(Si3N4)과 같은 유전체막인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 유전체막은 두께가 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.