맞춤기술찾기

이전대상기술

질화물 반도체 레이저 다이오드

  • 기술번호 : KST2015025935
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로, 리지(Ridge)의 측면에 각기 다른 굴절률을 갖는 둘 이상의 유전막들을 적층시켜, 적층 유전막의 유효 굴절률을 제어함으로써, 킹크(Kink)의 발생을 제거하고 반사각의 비를 만족시킬 수 있는 효과가 발생한다. 질화물, 반도체, 레이저, 다이오드, 유전막, 굴절률, 킨크, 방사각
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020053870 (2002.09.06)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0493638-0000 (2005.05.26)
공개번호/일자 10-2004-0022048 (2004.03.11) 문서열기
공고번호/일자 (20050603) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.09.06)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김성원 대한민국 서울특별시마포구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2002-0292522-08
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.04.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0028712-28
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0457239-77
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2004.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2004-0622686-42
7 의견서
Written Opinion
2005.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2005-0025111-65
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2005.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0025113-56
9 등록결정서
Decision to grant
2005.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0238465-98
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 질화물 반도체 적층막과 p형 질화물 반도체 적층막 사이에 다중 양자 우물층이 형성되고, 상기 p형 질화물 반도체 적층막은 일부가 식각되어 리지형상의 p클래드층이 형성되고, 상기 리지형상의 p클래드층 양측에 유전막이 형성되며, 상기 n형 질화물 반도체 적층막과 p형 질화물 반도체 적층막 사이에 전류가 공급되어 상기 다중 양자 우물층에서 광이 방출되는 질화물 반도체 레이저 다이오드에 있어서, 상기 유전막은, 각기 다른 굴절률을 갖는 적어도 둘 이상의 산화막이 적층된 적층 산화막인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 적층 산화막의 각기 다른 굴절률을 갖는 산화막들은 적어도 둘 이상의 서로 다른 두께를 가지는 산화막들인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 n형 질화물 반도체 적층막과 p형 질화물 반도체 적층막은 InGaN, GaN과 AlGaN 중 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 적층 산화막은 SiO2, MgO, TiO2와 ZrO2들을 적어도 둘 이상 선택하여 적층시킨 막인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드
5 4
제 1 항에 있어서, 상기 적층 산화막은 SiO2, MgO, TiO2와 ZrO2들을 적어도 둘 이상 선택하여 적층시킨 막인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.