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고분자 광도파관 그레이팅 제조방법

  • 기술번호 : KST2015026041
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자 광도파관 그레이팅 제조방법에 개시된다. 개시된 본 발명에 따른 고분자 광도파관 그레이팅 제조방법은, 실리콘 기판위에 코어층을 형성하는 단계와; 상기 코어층에 자외선을 조사하여 코어층 표면을 가경화시키는 단계와; 상기 가경화된 코어층을 그레이팅 패턴이 형성된 마스터를 이용하여 소정압력으로 누르는 단계와; 상기 마스터가 눌러진 상태에서 다시 자외선을 조사하여 완전 경화시키는 단계와; 상기 완전 경화이후 상기 코어층에서 상기 마스터를 분리하는 단계를 포함하는 점에 그 특징이 있다. 본 발명에 따른 고분자 광도파관 그레이팅 제조방법은, 그레이팅 패턴을 형성함에 있어 그레이팅 패턴이 형성된 마스터를 이용하여 단시간에 저가로 대량의 소자를 양산할 수 있다. 광도파관, 그레이팅, 마스터
Int. CL G02B 5/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020072295 (2002.11.20)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0895148-0000 (2009.04.20)
공개번호/일자 10-2004-0043869 (2004.05.27) 문서열기
공고번호/일자 (20090504) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.05)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이기동 대한민국 경기도성남시분당구
2 이성은 대한민국 서울특별시서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허용록 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2002-0382856-75
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2007.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0792413-07
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0061604-63
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0074879-22
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판위에 코어층을 형성하는 단계와; 상기 코어층에 자외선을 조사하여 코어층 표면을 가경화시키는 단계와; 상기 가경화된 코어층을 그레이팅 패턴이 형성된 마스터를 이용하여 소정압력으로 누르는 단계와; 상기 마스터가 눌러진 상태에서 다시 자외선을 조사하여 완전 경화시키는 단계와; 상기 완전 경화이후 상기 코어층에서 상기 마스터를 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 광도파관 그레이팅 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 마스터는 자외선을 투과시키는 그레이팅 패턴 영역과 자외선을 차단시키는 양측면의 바 영역으로 형성하는 것을 특징으로 하는 고분자 광도파관 그레이팅 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 마스터는 쿼츠를 이용하여 구성되는 것을 특징으로 하는 고분자 광도파관 그레이팅 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 코어층은 모노머와 개시제가 포함된 고분자 조성물을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고분자 광도파관 그레이팅 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07050674 US 미국 FAMILY
2 US20040105624 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2004105624 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7050674 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.