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실리콘 기판의 상부에 위치하는 절연막과; 상기 절연막의 상부에 위치하는 적어도 하나의 경사면을 가지는 실리콘 구조물과; 상기 실리콘 구조물의 경사면에 위치하는 미러를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 초소형 미러
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제 1항에 있어서, 상기 경사면은 45°의 경사각으로 경사진 것을 특징으로 하는 초소형 미러
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제 1항에 있어서, 실리콘 구조물은 9
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제 1항에 있어서, 상기 경사면이 위치하는 방향으로 연장된 방향에 노출된 실리콘 기판의 상부에 위치하는 금속전극과; 그 금속전극의 상부에 위치하는 수광 또는 발광소자를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 초소형 미러
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제 4항에 있어서, 상기 금속전극은 실리콘 기판상에 직접 위치하거나, 연장된 상기 절연막 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 초소형 미러
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제 1항에 있어서, 상기 미러는 실리콘 구조물의 경사면이거나, 그 경사면상에 위치하는 금속인 것을 특징으로 하는 초소형 미러
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실리콘 온 인슐레이터(SOI) 기판을 준비하는 단계와;상기 SOI 기판의 상하부에 식각방지층을 형성하는 단계와;상기 SOI 기판의 상부에 위치하는 식각방지층의 일부를 식각하여, 그 하부의 실리콘층을 노출시키는 단계와; 상기 노출된 실리콘층을 경사지게 이방성 식각하여 실리콘 구조물을 형성하는 단계와; 상기 식각방지층을 제거하고, 실리콘 구조물의 경사면을 경면처리하여 미러를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 초소형 미러 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 SOI 기판을 준비하는 단계는 9
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제 8항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 결정방향에 무관하게 사용하는 것을 특징으로 하는 초소형 미러 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 미러를 형성하는 단계는 식각방지층을 제거하고, 그 경사면에 금속을 증착하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 초소형 미러 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 미러의 형성을 위해 경사면에 금속을 증착하는 공정은 그 미러를 형성함과 아울러 실리콘 기판 또는 절연막의 상부에 금속을 증착하여 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 초소형 미러 제조방법
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제 11항에 있어서, 상기 전극의 상부에 수광 또는 발광소자를 부착하는 공정을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 초소형 미러 제조방법
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제 11항에 있어서, 상기 전극의 상부에 수광 또는 발광소자를 부착하는 공정을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 초소형 미러 제조방법
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