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반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015026126
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드는, 기판과; 상기 기판의 일측에 마련되며, 적색 파장 대역의 빔을 발광시킬 수 있도록 제1 버퍼층, 제1 n형 클래드층, 제1 활성층, 제1 p형 클래드층을 구비하는 적색 레이저 다이오드 칩; 및 상기 기판의 타측에 마련되며, 청색 파장 대역의 빔을 발광시킬 수 있도록 제2 버퍼층, 제2 n형 클래드층, 제2 활성층, 제2 p형 클래드층을 구비하는 청색 레이저 다이오드 칩; 을 포함한다. 여기서 본 발명에 의하면, 상기 기판으로는 n형 실리콘 기판이 사용되며, 상기 제2 버퍼층은 HfN 버퍼층 또는 AlN/GaN 초격자 구조가 사용되며, 상기 제1 버퍼층은 SeS2 처리된 GaAs ELOG(Epitaxial Lateral Over Growth), Si3N4 또는 다결정 실리콘 ELOG가 사용된다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 적색광과 청색광을 출력할 수 있는 두 파장의 레이저 다이오드를 하나의 칩에 형성시킴으로써, 하나의 광기록재생기에서 DVD용 및 HD-DVD용 디스크에 대하여 재생 및 기록을 호환성 있게 수행할 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01S 5/026 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020020072599 (2002.11.21)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-0877869-0000 (2009.01.02)
공개번호/일자 10-2004-0044571 (2004.05.31) 문서열기
공고번호/일자 (20090113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.05)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최진식 대한민국 대구광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허용록 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2002-0383726-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
4 출원심사청구서
Request for Examination		 2007.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0410031-11
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0015136-84
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0160772-52
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.05.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0330858-21
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0330859-77
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0486920-70
11 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2008.10.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0047119-33
12 등록결정서
Decision to grant		 2008.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0608801-74
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
기판과;상기 기판의 일측에 마련되며, 적색 파장 대역의 빔을 발광시킬 수 있도록 제1 버퍼층, 제1 n형 클래드층, 제1 활성층, 제1 p형 클래드층을 구비하는 적색 레이저 다이오드 칩; 및상기 기판의 타측에 마련되며, 청색 파장 대역의 빔을 발광시킬 수 있도록 제2 버퍼층, 제2 n형 클래드층, 제2 활성층, 제2 p형 클래드층을 구비하는 청색 레이저 다이오드 칩; 을 포함하고,상기 제1 버퍼층은 Si3N4 또는 다결정 실리콘 ELOG(Epitaxial Lateral Over Growth)가 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
3 3
제 2항에 있어서,상기 기판으로는 n형 실리콘 기판이 사용되고,상기 적색 레이저 다이오드 칩은 n형 InGaAlP계 클래드층, InGaAlP/InGaP계 활성층, p형 InGaAlP계 클래드층이 순차적으로 적층 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
4 4
제 2항에 있어서,상기 청색 레이저 다이오드 칩은 n형 AlGaN계 클래드층, InGaN/GaN계 활성층, p형 AlGaN계 클래드층이 순차적으로 적층 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
5 5
기판 위에 제1 버퍼층, 제1 n형 클래드층, 제1 활성층, 제1 p형 클래드층이 순차적으로 적층 형성된 제1 레이저 다이오드 영역을 형성하는 단계와;마스크 도포 공정 및 식각 공정을 통하여, 상기 기판이 소정 간격으로 노출되는 적층구조를 형성하는 단계와;상기 노출된 기판 위에, 제2 버퍼층, 제2 n형 클래드층, 제2 활성층, 제2 p형 클래드층이 순차적으로 적층 형성된 제2 레이저 다이오드 영역을 형성하는 단계와;에천트를 이용하여 상기 마스크를 제거하는 단계와;상기 제2 레이저 다이오드 영역에 대한 식각 공정을 통하여, 상기 기판 위에 상기 제1 레이저 다이오드 영역 및 제2 레이저 다이오드 영역이 교대로 형성되도록 하는 단계와;상기 제1 레이저 다이오드 영역 및 제2 레이저 다이오드 영역에 이온 주입을 통하여 전류 차단층을 각각 형성하는 단계와;상기 제1 레이저 다이오드 영역 및 제2 레이저 다이오드 영역에 마련된 전류 차단층 위에 p형 전극을 각각 형성하는 단계; 및상기 기판 위에 마련된 제1 레이저 다이오드 칩 및 제2 레이저 다이오드 칩에 대하여 서브마운트에 마운팅 작업을 수행하는 단계; 를 포함하고,상기 기판으로는 n형 실리콘 기판이 사용되며, 상기 제1 버퍼층 또는 상기 제2 버퍼층 중에서 하나의 버퍼층은 HfN 버퍼층 또는 AlN/GaN 초격자 구조가 사용되며, 상기 제1 버퍼층 또는 상기 제2 버퍼층 중에서 다른 버퍼층은 Si3N4 또는 다결정 실리콘 ELOG(Epitaxial Lateral Over Growth)가 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 제1 레이저 다이오드 영역 및 제2 레이저 다이오드 영역은 MOCVD 장치에 의하여 적층 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
7 6
제 5항에 있어서, 상기 제1 레이저 다이오드 영역 및 제2 레이저 다이오드 영역은 MOCVD 장치에 의하여 적층 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.