기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

발광 다이오드의 반사 구조

기술번호 : KST2015026139
담당센터 :
전화번호 :

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명에 따른 발광 다이오드 반사 구조는 사파이어 기판의 상측에 형성되는 발광 다이오드; 상기 발광 다이오드로부터 조광되는 빛을 반사시키는 반사층, 접착층, 금이 포함되어 상기 반사층을 보호하고 접착성 및 광휘도를 높이는 보호층을 상기 사파이어 기판의 하측면으로부터 순차적으로 적층시키는 다층구조의 반사막; 반사막의 하측에 형성되는 플레이트; 및 상기 반사막과 상기 플레이트가 접착되도록 하기 위한 접착 페이스트가 포함되는 것을 특징으로 하고, 상기 반사막은 웨이퍼 상에서 분리되는 상기 발광 다이오드 간의 경계역을 기준으로 경계홈을 형성하여 다수개로 이격되어 적층되는 것을 특징으로 한다.본 발명에서의 반사막은 견고하게 고정될 수 있어 장시간 사용하더라도 박리되거나, 열화되지 않고, 안정되게 동작될 수 있다. 또한, 웨이퍼의 분리경계역을 기준으로 반사막이 분리공간을 두어 이격되어 형성됨으로써, 발광 다이오드가 스크라이브/브레이크되는 경우 정렬라인의 문제가 발생되지 않고, 같은 공정중에 메탈 스컴 또한 발생되지 않으므로, 발광 다이오드의 제조 공정이 단순화되고, 발광 다이오드의 신뢰성이 한층 더 향상되는 효과가 있다. 발광 다이오드, 반사
Int. CL	H01L 33/10 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01)
CPC	H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01)
출원번호/일자	1020020071430 (2002.11.16)
출원인	엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자	10-0525540-0000 (2005.10.25)
공개번호/일자	10-2004-0043242 (2004.05.24) 문서열기
공고번호/일자	(20051031) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2002.11.16)
심사청구항수	8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지이노텍 주식회사	대한민국	서울특별시 강서구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	공성민	대한민국	광주광역시광산구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	허용록	대한민국	서울특별시 강남구 역삼로 **, 층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지이노텍 주식회사	대한민국	서울특별시 강남구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2002.11.16	수리 (Accepted)	1-1-2002-0378816-10
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2004.04.08	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2004.05.14	수리 (Accepted)	9-1-2004-0029746-48
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2004.11.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2004-0510139-98
5	지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period	2005.01.31	수리 (Accepted)	1-1-2005-0056481-58
6	지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period	2005.02.28	수리 (Accepted)	1-1-2005-0108823-23
7	지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period	2005.03.30	수리 (Accepted)	1-1-2005-0169752-43
8	지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period	2005.04.28	수리 (Accepted)	1-1-2005-0222938-16
9	의견서 Written Opinion	2005.05.31	수리 (Accepted)	1-1-2005-0290509-71
10	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2005.05.31	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0290513-54
11	등록결정서 Decision to grant	2005.09.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0479953-08
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2006.05.16	수리 (Accepted)	4-1-2006-5066791-07
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2006.05.19	수리 (Accepted)	4-1-2006-5068944-32
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.07.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5146412-87
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.02.24	수리 (Accepted)	4-1-2010-5032116-06
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.10.27	수리 (Accepted)	4-1-2014-0093826-77
17	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.03.08	수리 (Accepted)	4-1-2017-5035901-08
18	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.07.18	수리 (Accepted)	4-1-2018-5136723-03
19	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.01.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5011221-01

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 사파이어 기판의 상측에 형성되는 발광 다이오드;상기 발광 다이오드로부터 조광되는 빛을 반사시키는 반사층, 접착층, 금이 포함되어 상기 반사층을 보호하고 접착성 및 광휘도를 높이는 보호층을 상기 사파이어 기판의 하측면으로부터 순차적으로 적층시키는 다층구조의 반사막;반사막의 하측에 형성되는 플레이트; 및상기 반사막과 상기 플레이트가 접착되도록 하기 위한 접착 페이스트가 포함되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 반사 구조
2	2 제 1 항에 있어서,상기 사파이어 기판 및 상기 반사층 사이에 상부 접착층을 더 적층하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 반사 구조
3	3 제 2 항에 있어서, 상기 접착층은크롬, 티탄 또는 니켈 중 적어도 어느 하나 이상의 재질을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 반사 구조
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 반사층은은 또는 알루미늄 중 적어도 어느 하나 이상의 재질을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 반사 구조
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 접착 페이스트는 은 또는 플라스틱 수지가 혼합되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 반사 구조
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 반사막은웨이퍼 상에서 분리되는 상기 발광 다이오드 간의 경계역을 기준으로 경계홈을 형성하여 다수개로 이격되어 적층되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 반사 구조
7	7 제 6 항에 있어서, 상기 반사막은상기 사파이어 기판의 배면이 플라즈마 표면처리되고, 포토 레지스터가 도포되어 백사이드 정렬을 통하여 리프트-오프 패턴이 형성된 후 증착되고, 증착 후 상기 포토 레지스터가 제거됨으로써 다수개로 이격되어 적층되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 반사 구조
8	8 제 7 항에 있어서, 상기 사파이어 기판은아르곤, 산소, 수소 플라즈마 처리가 각각 이루어져 표면처리되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 반사 구조
9	9 삭제
10	10 삭제
11	11 삭제
12	11 삭제

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0525540-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20021116 출원 번호 : 1020020071430 공고 연월일 : 20051031 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20050928 청구범위의 항수 : 8 유별 : H01L 33/00 발명의 명칭 : 발광 다이오드의 반사 구조 존속기간(예정)만료일 : 20151026

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강남구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	513,000 원	2005년 10월 24일	납입
제 4 년분	금 액	235,000 원	2008년 10월 02일	납입
제 5 년분	금 액	216,000 원	2009년 10월 19일	납입
제 6 년분	금 액	216,000 원	2010년 08월 04일	납입
제 7 년분	금 액	404,000 원	2011년 07월 18일	납입
제 8 년분	금 액	404,000 원	2012년 09월 05일	납입
제 9 년분	금 액	404,000 원	2013년 09월 05일	납입
제 10 년분	금 액	680,000 원	2014년 09월 05일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2002.11.16	수리 (Accepted)	1-1-2002-0378816-10
2	선행기술조사의뢰서	2004.04.08	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2004.05.14	수리 (Accepted)	9-1-2004-0029746-48
4	의견제출통지서	2004.11.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2004-0510139-98
5	지정기간연장신청서	2005.01.31	수리 (Accepted)	1-1-2005-0056481-58
6	지정기간연장신청서	2005.02.28	수리 (Accepted)	1-1-2005-0108823-23
7	지정기간연장신청서	2005.03.30	수리 (Accepted)	1-1-2005-0169752-43
8	지정기간연장신청서	2005.04.28	수리 (Accepted)	1-1-2005-0222938-16
9	의견서	2005.05.31	수리 (Accepted)	1-1-2005-0290509-71
10	명세서등보정서	2005.05.31	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0290513-54
11	등록결정서	2005.09.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0479953-08
12	출원인정보변경(경정)신고서	2006.05.16	수리 (Accepted)	4-1-2006-5066791-07
13	출원인정보변경(경정)신고서	2006.05.19	수리 (Accepted)	4-1-2006-5068944-32
14	출원인정보변경(경정)신고서	2009.07.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5146412-87
15	출원인정보변경(경정)신고서	2010.02.24	수리 (Accepted)	4-1-2010-5032116-06
16	출원인정보변경(경정)신고서	2014.10.27	수리 (Accepted)	4-1-2014-0093826-77
17	출원인정보변경(경정)신고서	2017.03.08	수리 (Accepted)	4-1-2017-5035901-08
18	출원인정보변경(경정)신고서	2018.07.18	수리 (Accepted)	4-1-2018-5136723-03
19	출원인정보변경(경정)신고서	2020.01.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5011221-01


기술번호	KST2015026139
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	발광 다이오드의 반사 구조
기술개요	본 발명에 따른 발광 다이오드 반사 구조는 사파이어 기판의 상측에 형성되는 발광 다이오드; 상기 발광 다이오드로부터 조광되는 빛을 반사시키는 반사층, 접착층, 금이 포함되어 상기 반사층을 보호하고 접착성 및 광휘도를 높이는 보호층을 상기 사파이어 기판의 하측면으로부터 순차적으로 적층시키는 다층구조의 반사막; 반사막의 하측에 형성되는 플레이트; 및 상기 반사막과 상기 플레이트가 접착되도록 하기 위한 접착 페이스트가 포함되는 것을 특징으로 하고, 상기 반사막은 웨이퍼 상에서 분리되는 상기 발광 다이오드 간의 경계역을 기준으로 경계홈을 형성하여 다수개로 이격되어 적층되는 것을 특징으로 한다.본 발명에서의 반사막은 견고하게 고정될 수 있어 장시간 사용하더라도 박리되거나, 열화되지 않고, 안정되게 동작될 수 있다. 또한, 웨이퍼의 분리경계역을 기준으로 반사막이 분리공간을 두어 이격되어 형성됨으로써, 발광 다이오드가 스크라이브/브레이크되는 경우 정렬라인의 문제가 발생되지 않고, 같은 공정중에 메탈 스컴 또한 발생되지 않으므로, 발광 다이오드의 제조 공정이 단순화되고, 발광 다이오드의 신뢰성이 한층 더 향상되는 효과가 있다. 발광 다이오드, 반사
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2015025526][LG그룹]	질화 갈륨계 반도체 발광 다이오드 제조방법	새창보기
[KST2015071247][LG그룹]	이종 기판, 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2015072191][LG그룹]	발광소자	새창보기
[KST2015032163][LG그룹]	반도체 발광소자 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015070326][LG그룹]	질화물 반도체 발광 소자	새창보기
[KST2015030838][LG그룹]	발광 다이오드 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015028841][LG그룹]	발광 다이오드 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015031725][LG그룹]	발광 다이오드 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015056666][LG그룹]	발광 소자 및 그의 제조 방법	새창보기
[KST2015072015][LG그룹]	발광소자	새창보기
[KST2015030395][LG그룹]	반도체 발광소자	새창보기
[KST2015033048][LG그룹]	질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015133451][LG그룹]	발광 다이오드	새창보기
[KST2015028441][LG그룹]	발광 다이오드 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015070618][LG그룹]	성장 기판, 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택