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광 모듈레이터 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015026152
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요약 본 발명은 광 모듈레이터에 관한 것으로, 특히 리본을 기판의 표면과 동일한 평면상에 위치시키도록 하여 신뢰성과 안전성을 높이고, 대량 생산이 용이하도록 한 광 모듈레이터의 제조방법에 관한 것이다. 종래에는 브릿지형 리본이 상하 기계적인 구동을 하기 때문에 기판과의 접하는 부분인 브릿지 포스트에 응력(STRESS)이 집중되며, 이에 따라 기계적인 구성이 취약한 구조적인 문제점이 있으며, 고속 동작 시 편평도가 확보되지 않아 회절이 일정하지 않은 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 브릿지형 리본을 기판과 동일한 평면상에 위치시키며, 에어갭을 기판 내부에 자유롭게 조절하면서 구성할 수 있도록 하는 것으로, 리본의 구동 전압 및 속도, 사용 레이저 빔의 파장을 고려한 정밀 설계가 가능할뿐만 아니라 기판과 평탄한 브릿지 포스트의 응력 분산으로 인해 기계적 안정성과 신뢰성이 개선되며, 외부 불순물 입자들로부터 소자를 보호할 수 있기 때문에 고성능, 고수율, 저가격의 광 모듈레이터를 대량 생산할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL G02F 1/015 (2006.01)
CPC G02F 1/015(2013.01) G02F 1/015(2013.01) G02F 1/015(2013.01) G02F 1/015(2013.01)
출원번호/일자 1020020067248 (2002.10.31)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0924285-0000 (2009.10.23)
공개번호/일자 10-2004-0038350 (2004.05.08) 문서열기
공고번호/일자 (20091030) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.24)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전영삼 대한민국 경기도용인시
2 오현호 대한민국 경기도안양시동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2002-0361375-89
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2007.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0762970-68
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0762971-14
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.06.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0044710-51
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0211013-47
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.06.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0387471-14
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0387465-40
12 등록결정서
Decision to grant
2009.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0429181-00
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 제 1절연층을 형성한 후 제 1포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 제 1절연층과 기판의 일부를 식각하는 단계와; 상기 제 1포토레지스트와 상기 제 1절연층을 제거한 후 상기 형성된 기판 상에 제 2절연층을 형성하고, 그 상부에 희생층을 식각된 기판의 높이로 형성한 후 그 상부에 제 2포토레지스트를 형성하는 단계와; 기판 상의 식각 부분에서 상기 제 2포토레지스트를 잔류시키고 상기 식각 부분을 제외한 부분에서 상기 제 2포토레지스트를 제거하여, 상기 식각 부분을 제외한 부분에서 상기 희생층이 드러나도록 상기 제 2포토레지스트가 형성된 구조물을 전면 건식각하는 단계와; 상기 노출된 희생층을 상기 제 2절연층이 드러나도록 건식각하여 상기 식각 부분을 제외한 부분의 희생층을 제거하는 단계와; 상기 잔류하는 제 2포토레지스트를 제거한 후 리본으로 사용될 리본층을 상기 제 2포토레지스트가 제거된 구조물 상에 형성한 후 상기 리본층 및 절연층을 식각하여 접지전극 패드부를 형성하는 단계와; 상기 접지전극 패드부가 형성된 구조물 상부에 전극층을 형성한 후 이를 패터닝하여 상부전극과 접지 전극을 형성하는 단계와; 상기 전극층의 패턴을 이용하여 상기 희생층이 드러나도록 리본층을 식각하여 리본을 형성하고, 상기 드러나는 희생층을 식각하여 상기 희생층을 선택적으로 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 광 모듈레이터 소자 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 리본층은 Si3N4 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 광 모듈레이터 소자 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 기판을 식각하는 깊이를 조절하는 것으로 리본의 동작 거리 및 구동 전압을 조절하는 것을 특징으로 하는 광 모듈레이터 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.