| 1 |
1
기판 상에 형성된 박막트랜지스터와;
상기 기판 및 박막 트랜지스터 전면에 형성된 보호막과;
상기 보호막 상에 형성되고, 적어도 한층 이상의 나노(nano) 크기의 입자들로 이루어진 요철층을 가지는 반사판을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극과;
상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막과;
상기 게이트 전극 상부 및 상기 게이트 절연막 상에 형성된 반도체층과;
상기 반도체층 상부 측면에 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서, 상기 요철층을 형성하고 있는 나노 크기의 입자들은 반사 특성이 우수한 Ag, Ag 합금, Al, 또는 Al 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 보호막 상부 및 요철층 사이에 개재된 반사전극을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서, 상기 반사전극은 Al, Al 합금, Ag, 또는 Ag 합금으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 요철은 구형상인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서, 상기 요철의 크기는 0
|
| 8 |
8
스위칭 영역과 화소영역이 정의된 기판과;
상기 스위칭 영역에 형성되고, 게이트 전극, 소스 전극, 그리고 드레인 전극을 가진 박막 트랜지스터와;
상기 박막 트랜지스터 및 화소영역에 형성된 보호막과;
상기 화소영역의 보호막 상에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 반사전극과 상기 반사전극상부에 적어도 한층 이상의 나노 입자들로 형성된 요철층으로 이루어진 반사판을 포함하는 것을 특징으로하는 액정 표시 소자
|
| 9 |
9
투명한 기판을 준비하는 단계와;
상기 기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
상기 기판 및 박막 트랜지스터 전면에 형성된 보호막과;
상기 보호막 상에 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 접속되는 반사전극과 나노 크기를 가지는 요철층으로 이루어진 반사판을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터를 형성하는 단계는 투명한 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계와;
상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 증착하는 단계와;
상기 게이트 전극 상부 및 상기 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와;
상기 반도체층 상부 측면에 형성된 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자의 제조방법
|
| 11 |
11
제 9 항에 있어서, 상기 요철층을 형성하는 단계는 졸겔 상태의 Ag, Ag 합금, Al, 또는 Al 합금 입자중에서 어느 하나를 도포하는 단계와;
상기 졸겔상태의 입자들을 건조시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법
|
| 12 |
12
제 11 항에 있어서, 상기 졸겔 상태의 입자를 도포하는 단계는 스핀 코팅 또는 패인팅 방법을 통하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
스위칭 영역과 화소영역이 정의된 기판을 준비하는 단계와;
상기 스위칭 영역에 게이트 전극, 소스 전극, 그리고 드레인 전극을 가진 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와;
상기 박막 트랜지스터 및 화소영역의 전면에 걸쳐서 보호막을 형성하는 단계와;
상기 화소영역의 보호막 상에 불투명한 금속 물질을 증착한 후, 이를 패터닝하여 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 반사전극을 형성하고, 상기 반사전극 상부에 스핀코팅 또는 패인팅 방법을 통하여 적어도 한층 이상의 나노 입자들로 이루어진 요철층을 도포하여 상기 반사전극과 요철층으로 이루어지는 반사판을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법
|
