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화합물 반도체 레이저 다이오드

  • 기술번호 : KST2015026181
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화합물 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로, n-화합물 반도체 기판의 상부에 리지(Ridg)를 갖는 n-화합물 반도체층이 형성되어 있고; 상기 리지의 상부에 n-클래드층, n-웨이브 가이드층, 활성층, 에칭방지층, p-웨이브 가이드층, p-클래드층과 p-캡층이 순차적으로 적층되어 있고; 상기 리지 측면의 n-화합물 반도체층 상부에 p-금속 화합물 반도체층과 n-금속 화합물 반도체층이 순차적으로 적층되거나 또는 유전막이 형성되도록 구성함으로써, 본 발명은 인가전류의 구속력을 향상시켜, 임계전류(Threshold Current, Ith)를 낮출 수 있고, 수평/수직 방사각 비율을 개선할 수 있으며, L-I(Light-Current)곡선에서 킨크(Kink)의 발생을 줄일 수 있는 효과가 발생한다. 화합물반도체, 유전막, 리지, 구속
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC H01S 5/0422(2013.01) H01S 5/0422(2013.01) H01S 5/0422(2013.01) H01S 5/0422(2013.01)
출원번호/일자 1020020065389 (2002.10.25)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0493639-0000 (2005.05.26)
공개번호/일자 10-2004-0036383 (2004.04.30) 문서열기
공고번호/일자 (20050603) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.10.25)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성원 대한민국 서울특별시마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2002-0350591-87
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.07.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.08.18 수리 (Accepted) 9-1-2004-0049706-91
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0457241-69
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2004-0622684-51
7 의견서
Written Opinion		 2005.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0046919-75
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.01.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0046930-78
9 등록결정서
Decision to grant		 2005.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0238466-33
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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n-화합물 반도체 기판의 상부에 리지(Ridge)를 갖는 n-화합물 반도체층이 형성되어 있고; 상기 리지의 상부에 n-클래드층, n-웨이브 가이드층, 활성층, 에칭방지층, p-웨이브 가이드층, p-클래드층과 p-캡층이 순차적으로 적층된 에피층이 형성되어 있고; 상기 리지 및 에피층 측면의 n-화합물 반도체층 상부에 상기 에피층의 유효 굴절율과 다른 굴절율을 갖는 유전막이 형성되어 있고; 상기 p-캡층과 유전막의 상부에 p-금속층이 형성되어 있으며, 상기 n-화합물 반도체 기판의 하부에 n-금속층이 형성되어 있는 화합물 반도체 레이저 다이오드
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