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비정질 실리콘의 결정화 방법 및 이를 이용한박막트랜지스터의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015026192
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 조대한 결정립을 갖는 비정질 실리콘의 결정화 방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터의 형성방법에 관한 것으로서, 절연 기판상에 버퍼층 및 비정질 실리콘층을 차례로 형성하는 단계와, 상기 비정질 실리콘층을 소정온도에서 어닐링하여 탈수소화 공정을 진행하는 단계와, 상기 비정질 실리콘층에 자외선 또는 적외선을 조사하여 프리-히팅하는 단계와, 상기 비정질 실리콘층에 조사된 자외선 또는 적외선의 조사영역보다 좁게 상기 비정질 실리콘층에 엑시머 레이저를 조사하여 상기 비정질 실리콘막을 결정화하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다. 결정화, 비정질 실리콘, 박막트랜지스터, 레이저, 광원
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01)
출원번호/일자 1020020078825 (2002.12.11)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0480827-0000 (2005.03.24)
공개번호/일자 10-2004-0051006 (2004.06.18) 문서열기
공고번호/일자 (20050407) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.12.11)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김빈 대한민국 서울특별시강동구
2 김해열 대한민국 경기도안양시동안구
3 배종욱 대한민국 서울특별시양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2002-0411579-03
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0394895-97
3 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.11.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0544355-37
4 의견서
Written Opinion		 2004.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2004-0544356-83
5 등록결정서
Decision to grant		 2005.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0097181-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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절연 기판상에 버퍼층 및 비정질 실리콘층을 차례로 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘층을 소정온도에서 어닐링하여 탈수소화 공정을 진행하는 단계; 상기 비정질 실리콘층에 자외선 또는 적외선을 조사하여 프리-히팅하는 단계; 상기 비정질 실리콘층에 조사된 자외선 또는 적외선의 조사영역보다 좁게 상기 비정질 실리콘층에 엑시머 레이저를 조사하여 상기 비정질 실리콘막을 결정화하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 비정질 실리콘막의 결정화 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 자외선 또는 적외선에 의한 프리-히팅은 약 500℃까지 실시하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘막의 결정화 방법
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절연 기판상에 버퍼층 및 비정질 실리콘층을 차례로 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘층을 소정온도에서 어닐링하여 탈수소화 공정을 진행하는 단계; 상기 비정질 실리콘층에 자외선 또는 적외선을 조사하여 프리-히팅하는 단계; 상기 비정질 실리콘층에 조사된 자외선 또는 적외선의 조사영역보다 좁게 상기 비정질 실리콘층에 엑시머 레이저를 조사하여 다결정 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 다결정 실리콘층을 패터닝하여 액티브층을 형성하는 단계; 상기 액티브층을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 양측의 액티브층에 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 형성방법
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