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발광 다이오드 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015026206
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요약 본 발명은 질화인듐갈륨(InGaN)계 활성우물(Well)과 질화 갈륨(GaN)계 장벽(Barrier)을 포함하는 다중양자 우물구조의 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 질화인듐갈륨계 활성우물과 질화갈륨계 장벽으로 이루어지는 다중양자우물구조를 활성층으로 갖는 발광다이오드의 제조 방법에 있어서, 상기 활성우물층과 장벽층 사이에 도핑되지 않은 질화갈륨 캡층을 성장시키는 것을 특징으로 한다. 이를 통해 다중양자 우물구조에서 양자우물과 장벽 사이의 계면 개선을 통한 휘도 향상을 도모할 수 있다. 다중양자 우물구조, 휘도, 고용체
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/32 (2010.01.01) H01L 33/14 (2010.01.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020020077874 (2002.12.09)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-0906921-0000 (2009.07.01)
공개번호/일자 10-2004-0050731 (2004.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (20090710) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.05)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성재 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2002-0408241-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
4 출원심사청구서
Request for Examination
2007.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0410055-06
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0028989-06
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.06.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0322059-72
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0587747-11
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.08.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0587746-76
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2008.12.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0616418-22
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.02.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2009-0068208-85
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0068209-20
13 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0188839-55
14 등록결정서
Decision to grant
2009.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0242945-90
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
nGaN층을 형성하는 단계; 상기 nGaN층 상에 다중양자 우물구조층으로 형성된 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 pGaN층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 활성층을 형성하는 단계는, 상기 nGaN층 상에 InGaN 우물층을 형성하는 단계와, 상기 InGaN 우물층 상에 도핑되지 않은 GaN 캡층을 형성하는 단계와, 상기 GaN 캡층 상에 GaN 장벽층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 InGaN 우물층, GaN 캡층 및 GaN 장벽층은 730~780℃ 범위의 동일 성장 온도에서 성장되는 발광 다이오드 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 GaN 캡층은 3~10 Å두께로 성장되는 발광 다이오드 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 GaN 캡층은 성장 후, 상기 GaN 캡층의 성장 온도와 동일한 온도에서 어닐링을 30~180초 동안 실시하는 발광 다이오드 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 GaN 장벽층은 상기 GaN 캡층의 성장 온도와 동일한 온도에서 50~100Å 두께로 성장되는 발광 다이오드 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 pGaN층은 980~1020℃에서 Mg을 불순물로 도핑하여 1000~2000Å두께로 성장되는 발광 다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.