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반도체 소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015026334
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요약 본 발명에 따른 후막 반도체의 분리방법은 사파이어 기판, 새로운 기판으로 사용될 후막 반도체층 및 상기 사파이어 기판과 후막 반도체층의 사이에 열팽창계수가 다른 버퍼층을 적층 성장하는 공정; 및 가열/냉각을 수행하여 상기 사파이어 기판 및 상기 후막 반도체층과는 다르게 상기 버퍼층이 열변형되어 상기 버퍼층이 분리되는 공정이 포함되는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 발광 다이오드 및 레이저 다이오드를 이루는 반도체 적층 구조에서, 격자 결함을 줄일 수 있는 기판을 저렴한 가격에서 구현할 수 있고, 그 제조 공정이 간편하게 이루어지는 장점이 있다. 결국, 간단한 제조 공정으로 레이저 다이오드에서는 발진개시 전압을 낮출 수 있고, 발광 다이오드에서는 발광 효율을 높힐 수 있고, 소자의 신뢰성을 높힐 수 있는 효과가 있다. 후막 반도체, 분리 방법
Int. CL H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01)
출원번호/일자 1020020078068 (2002.12.10)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-0952015-0000 (2010.04.01)
공개번호/일자 10-2004-0050280 (2004.06.16) 문서열기
공고번호/일자 (20100408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.05)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최진식 대한민국 대구광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2002-0408863-94
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
4 출원심사청구서
Request for Examination
2007.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0410056-41
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0506426-96
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0829517-37
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.12.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0829516-92
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0188839-55
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0183763-69
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2009.06.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0032221-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0330928-11
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0613876-93
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.10.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0613874-02
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
16 등록결정서
Decision to grant
2010.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0085212-72
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 제1버퍼층을 형성하는 단계; 상기 제1버퍼층의 평탄한 상면 위에 후막 반도체층을 형성하는 단계; 가열/냉각을 수행하여 상기 제1버퍼층이 상기 기판 및 상기 후막 반도체층과의 열 변형 차이에 의해 상기 후막 반도체층으로부터 분리되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1버퍼층이 상기 후막 반도체층으로부터 분리되는 단계는, 상기 제1반도체층의 전 상면이 상기 후막 반도체층으로부터 분리되는 반도체 소자 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 가열/냉각 공정은 가열은 급격하게 이루어지고, 냉각은 서서히 이루어지며, 상기 가열/냉각 공정에서 온도변화의 범위는 200~1200도씨의 범위 내이며, 상기 가열/냉각 공정은 암모니아의 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판이며, 상기 제1버퍼층은 질화규소의 재질이며, 상기 후막 반도체층은 질화갈륨을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1버퍼층이 분리되면, 상기 후막 반도체층 위에 제2버퍼층을 형성하고, 상기 제2버퍼층 위에 다수의 박막 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 제1버퍼층은 상기 기판과 상기 후막 반도체층의 열 팽창계수보다 높거나 낮은 반도체 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.