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기판 상에 형성된 제 1 전극과; 상기 제 1 전극 상부에 위치하며, 화면을 구현하는 최소단위인 서브픽셀 영역에서 오픈부를 가지고, 무기물질을 이용한 건식식각 공정에 의해 형성되며, 역테이퍼각을 가지는 격벽과; 상기 격벽에 의해, 상기 서브픽셀 영역별로 자동 패터닝되어 상기 서브픽셀 영역에 차례대로 형성된 발광층 및 제 2 전극 을 포함하는 유기전계발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 기판과 제 1 전극 사이에는, 적, 녹, 청 컬러필터 및 컬러별 컬러필터 경계부에 위치하는 블랙매트릭스로 이루어진 컬러필터층과, 상기 컬러필터층을 덮는 영역에 위치하며, 녹색광, 적색광에 발광변환되는 특성을 가지고, 상기 적, 녹, 청 컬러필터와 컬러별로 대응되게 위치하는 제 1 내지 제 2 색변환 물질층으로 이루어진 색변환(CCM ; Color-changing Mediums)층과, 상기 색변환층을 덮는 영역에 형성된 평탄화층을 추가로 포함하며, 상기 발광층은 청색 단파장 발광물질로 이루어지는 유기전계발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극과 격벽 사이구간에는, 상기 서브픽셀 영역을 오픈부로 가지는 절연물질로 이루어진 뱅크(bank)를 추가로 포함하는 유기전계발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 격벽의 역테이퍼각은, 전방향에서 30 ~ 80 °인 유기전계발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 무기물질은 실리콘 질화막(SiNx)인 유기전계발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 양극이고, 상기 제 2 전극은 음극인 유기전계발광 소자
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제 1, 2 전극과, 상기 제 1, 2 전극 사이에 개재되는 발광층을 포함하는 유기전계발광 소자에 있어서, 상기 발광층 및 제 2 전극을 서브픽셀 단위로 자동 분리시키는 격벽의 제조방법에 있어서, 가스 유입구, RF 파워(radio frequency power), 배기구를 가지는 진공 챔버를 구비하는 단계와; 상기 진공 챔버 내에, 무기물질층 및 일정 패턴을 가지는 PR패턴(photo-resist pattern)이 차례대로 형성되어 있는 기판을 안착하는 단계와; 상기 가스 유입구를 통해, SF6, 02 혼합 가스를 유입한 다음 소정의 압력에서 플라스마(plasma)를 방전을 통해, 상기 노출된 무기물질층을 건식식각처리하여, 역테이퍼각을 가지는 격벽 패턴으로 형성하는 단계 를 포함하는 유기전계발광 소자용 격벽 패턴의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 무기물질층은 실리콘 질화막으로 이루어지는 유기전계발광 소자용 격벽의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 실리콘 질화막의 형성두께는, 7,000 ~ 20,000 Å인 유기전계발광 소자용 격벽의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 공정 압력은 200 mTorr ~ 1 Torr의 범위에서 선택되는 유기전계발광 소자용 격벽의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 SF6/02 유량비는 10 ~ 100의 범위에서 선택되는 유기전계발광 소자용 격벽의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 격벽 패턴의 역테이퍼각은 30 ~ 80 °의 범위에서 선택되는 유기전계발광 소자용 격벽의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 격벽 패턴의 역테이퍼각은 30 ~ 80 °의 범위에서 선택되는 유기전계발광 소자용 격벽의 제조방법
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