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질화물 반도체 레이저 다이오드

  • 기술번호 : KST2015026542
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요약 본 발명은 질화물 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로, n-질화물 반도체 기판의 상부에 형성되고, 상부의 일부가 제거되어 리지(Ridge) 영역을 갖는 n-질화물 반도체층과; 상기 n-질화물 반도체층의 리지(Ridge) 영역의 상부에 n-클래드층, n-웨이브 가이드층, 활성층, 에칭방지층과 p-웨이브 가이드층이 순차적으로 적층되어 형성된 적층 에피층과; 상기 적층 에피층의 측면을 감싸고, 상기 n-질화물 반도체층의 상부에 형성된 유전막과; 상기 적층 에피층의 p-웨이브 가이드층 상면을 감싸며 상기 유전막 상부의 일부분까지 형성된 p-클래드층과; 상기 p-클래드층을 감싸며 상기 유전막 상부에 형성된 p-캡층과; 상기 p-캡층을 감싸며 상기 나머지 유전막 상부에 형성된 p-메탈층과; 상기 n-질화물 반도체 기판의 하부에 형성된 n-메탈층으로 구성한다. 따라서, 본 발명은 인가전류의 구속력을 향상시킴과 동시에 광특성 및 I-V 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 발생한다. 질화물반도체, 유전막, 식각
Int. CL H01S 3/0941 (2006.01)
CPC H01S 5/0422(2013.01) H01S 5/0422(2013.01) H01S 5/0422(2013.01) H01S 5/0422(2013.01)
출원번호/일자 1020020082389 (2002.12.23)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0915056-0000 (2009.08.25)
공개번호/일자 10-2004-0056410 (2004.07.01) 문서열기
공고번호/일자 (20090902) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.25)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성원 대한민국 서울특별시마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2002-0424469-83
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2007.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2007-0766041-61
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0061625-11
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0045857-59
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.02.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0083277-11
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0083276-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
11 등록결정서
Decision to grant
2009.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0265703-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n-질화물 반도체 기판의 상부에 형성되고, 상부의 일부가 제거되어 리지(Ridge) 영역을 갖는 n-질화물 반도체층과; 상기 n-질화물 반도체층의 리지(Ridge) 영역의 상부에 n-클래드층, n-웨이브 가이드층, 활성층, 에칭방지층과 p-웨이브 가이드층이 순차적으로 적층되어 형성된 적층 에피층과; 상기 적층 에피층의 측면을 감싸고, 상기 n-질화물 반도체층의 상부에 형성된 유전막과; 상기 적층 에피층의 p-웨이브 가이드층 상면을 감싸며 상기 유전막 상부의 일부분까지 형성된 p-클래드층과; 상기 p-클래드층을 감싸며 상기 유전막 상부에 형성된 p-캡층과; 상기 p-캡층을 감싸며 상기 유전막 상부에 형성된 p-메탈층과; 상기 n-질화물 반도체 기판의 하부에 형성된 n-메탈층으로 구성된 질화물 반도체 레이저 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 p-클래드층의 단면적은 상기 p-웨이브 가이드층의 단면적보다 큰 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 n-질화물 반도체 기판, n-질화물 반도체층, n-웨이브 가이드층, p-웨이브 가이드층과 p-캡층은 GaN으로 형성되어 있고, 상기 p와 n-클래드층은 AlGaN으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.