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질화물 반도체 레이저 다이오드

  • 기술번호 : KST2015026556
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요약 본 발명은 질화물 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로, n-질화물 반도체 기판의 상부에 형성되고, 상부의 일부가 제거되어 리지(Ridge) 영역을 갖는 n-질화물 반도체층과; 상기 n-질화물 반도체층의 리지 영역 상부에 형성된 n-클래드층과; 상기 n-클래드층의 단면적보다 작은 리지 형상으로 n-웨이브 가이드층, 활성층, 에칭방지층과 p-웨이브 가이드층이 순차적으로 적층되어 형성된 적층 에피층과; 상기 적층 에피층의 측면과 상기 n-클래드층의 상면 및 측면을 감싸며 상기 n-질화물 반도체층의 상부에 형성된 유전막과; 상기 적층 에피층의 p-웨이브 가이드층 상면을 감싸며 상기 유전막 상부의 일부분까지 형성된 p-클래드층과; 상기 p-클래드층을 감싸며 상기 유전막 상부에 형성된 p-캡층과; 상기 p-캡층을 감싸며 상기 나머지 유전막 상부에 형성된 p-메탈층과; 상기 n-질화물 반도체 기판의 하부에 형성된 n-메탈층으로 구성된다. 따라서, 본 발명은 건식식각할 깊이가 종래의 반도체 레이저 다이오드 보다 얕아서 활성층에 인가하는 물리적 및 화학적인 손상을 줄여 줄 수 있어 소자의 광학적 특성을 향상시키고, 소자의 I-V 특성이 향상되는 효과가 발생한다. 질화물반도체, 유전막, 식각
Int. CL H01S 5/00 (2006.01)
CPC H01S 5/0422(2013.01) H01S 5/0422(2013.01) H01S 5/0422(2013.01)
출원번호/일자 1020020082390 (2002.12.23)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0892010-0000 (2009.03.30)
공개번호/일자 10-2004-0056411 (2004.07.01) 문서열기
공고번호/일자 (20090407) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.27)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성원 대한민국 서울특별시마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2002-0424470-29
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2007.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0850290-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0400803-43
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.09.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0648380-23
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0648373-14
8 등록결정서
Decision to grant
2009.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0041083-34
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
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n-질화물 반도체 기판의 상부에 형성되고, 상부의 일부가 제거되어 리지(Ridge) 영역을 갖는 n-질화물 반도체층과; 상기 n-질화물 반도체층의 리지 영역 상부에 형성된 n-클래드층과; 상기 n-클래드층의 단면적보다 작은 리지 형상으로 n-웨이브 가이드층, 활성층, 에칭방지층과 p-웨이브 가이드층이 순차적으로 적층되어 형성된 적층 에피층과; 상기 적층 에피층의 측면과 상기 n-클래드층의 상면 및 측면을 감싸며 상기 n-질화물 반도체층의 상부에 형성된 유전막과; 상기 적층 에피층의 p-웨이브 가이드층 상면을 감싸며 상기 유전막 상부의 일부분까지 형성된 p-클래드층과; 상기 p-클래드층을 감싸며 상기 유전막 상부에 형성된 p-캡층과; 상기 p-캡층을 감싸며 상기 유전막 상부에 형성된 p-메탈층과; 상기 n-질화물 반도체 기판의 하부에 형성된 n-메탈층으로 구성된 질화물 반도체 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 적층에피층의 단면적은 상기 n-클래드층 또는 p-클래드층의 단면적보다 작은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드
3 2
제 1 항에 있어서, 상기 적층에피층의 단면적은 상기 n-클래드층 또는 p-클래드층의 단면적보다 작은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.