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기판 상에 다층적층으로 배열된 구성요소들 즉, 양극, 유기 발광층, 음극이 순차적으로 형성된 유기전계발광소자에 있어서, 상기 구성요소들을 둘러싸는 다층이 보호막이 형성되며, 상기 다층의 보호막은 금속과 무기물이 혼합된 층 및 유기막층이 하나 이상 포함되어 구성되고, 상기 금속과 무기물이 혼합된 층에서 상기 금속이 포함된 비율이 50% 임을 특징으로 하는 유기전계발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 금속은 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)계열의 금속이며, 상기 무기물은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiO2)임을 특징으로 하는 유기전계발광소자
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기판 상에 다층적층으로 배열된 구성요소들 즉, 양극, 유기 발광층, 음극이 순차적으로 형성되는 유기전계발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 구성요소들을 둘러싸는 유기막층이 증착되는 단계와, 상기 유기막층 위에 금속과 무기물이 혼합된 층이 증착되는 단계가 포함되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 유기막층과 금속과 무기물이 혼합된 층이 순차적으로 더 형성되는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
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제 4항에 있어서,상기 금속과 무기물이 혼합된 층은 공-증발법(co-evaporation)에 의해 형성되며, 상기 금속과 무기물이 혼합된 층에 금속이 포함된 비율이 50% 임을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
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제 4항에 있어서,상기 금속과 무기물이 혼합된 층은 공-증착법(co-sputtering)에 의해 형성되며, 상기 금속과 무기물이 혼합된 층에 금속이 포함된 비율이 50% 임을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
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제 4항에 있어서,상기 금속과 무기물이 혼합된 층은 공-증착법(co-sputtering)에 의해 형성되며, 상기 금속과 무기물이 혼합된 층에 금속이 포함된 비율이 50% 임을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
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