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질화물 기판 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015026813
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요약 본 발명은 질화물 기판 제조 방법에 관한 것으로서, 질화물층이 성장되는 모재로 실리콘 기판을 사용해 질화물 기판의 크기를 향상시킬 수 있도록 하며, 상기 실리콘 기판 상부에 사파이어 등을 이용해 수백 Å정도로 다결정 버퍼층을 형성하도록 함으로써, 복잡한 공정의 레이저 리프트 오프 방법을 사용하지 않고도 간단한 화학적 에칭이나 기계적 연마 방법을 이용해 분리시킬 수 있도록 한다. 실리콘, 기판, 분리, 다결정, 버퍼층, 사파이어
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01)
출원번호/일자 1020030000861 (2003.01.07)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0949212-0000 (2010.03.16)
공개번호/일자 10-2004-0063446 (2004.07.14) 문서열기
공고번호/일자 (20100324) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.18)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조명환 대한민국 경기도군포시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2003-0005075-71
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2007.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0910216-44
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.03.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0021828-91
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.07.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0283730-86
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0464412-71
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0464413-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
12 등록결정서
Decision to grant
2010.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0016427-85
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상부에 기상 성장법으로 사파이어층을 형성하는 제 1 단계; 상기 사파이어층 상부에 질화물층을 형성하는 제 2 단계; 상기 기판을 기계적 래핑하여 상기 사파이어층 및 질화물층으로부터 분리하는 제 3 단계; 상기 기판이 분리된 사파이어층 및 질화물층에서, 상기 사파이어층을 제거하여 질화물 기판을 형성하는 제 4 단계로 이루어지는, 질화물 기판 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판은; 실리콘(Si) 기판 또는 실리콘 카바이드(SiC) 기판 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 질화물 기판 제조 방법
3 3
삭제
4 4
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.