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고분자 유기전계발광소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015026957
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요약 본 발명에 의한 고분자 유기전계발광소자의 제조방법은, 제 1전극, 유기 발광층, 제 2전극이 순차적으로 형성되는 유기전계발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 제 1전극 상에 상기 유기 발광층이 형성되기 전에 상기 제 1전극의 표면을 초고주파 플라즈마를 통한 전처리를 하는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 초고주파 플라즈마의 고전자밀도에 의해 ITO 전극 표면의 불순물 제거 및 일함수 증가 측면에서 유리하며, 또한, 고분자 유기전계발광소자의 제조공정에 있어 ITO 전극의 표면 전처리시 고 진공으로 변환할 필요가 없어 그 공정이 단순화되어 결국 소자의 대량 생산 측면에서 유리한 장점이 있다.
Int. CL H05B 33/10 (2006.01)
CPC H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01)
출원번호/일자 1020020088506 (2002.12.31)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0511875-0000 (2005.08.25)
공개번호/일자 10-2004-0062177 (2004.07.07) 문서열기
공고번호/일자 (20050902) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.12.31)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이광연 대한민국 서울특별시송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허용록 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2002-0441643-75
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2004-0074965-85
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0128562-16
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2005-0267713-49
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.06.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0333673-93
7 의견서
Written Opinion
2005.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2005-0333674-38
8 등록결정서
Decision to grant
2005.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0300851-08
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
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번호 청구항
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기판 상에 제 1전극이 형성되는 단계와;상기 제 1전극의 전면이 DI water로 세정되고, 초음파를 이용하여 1차 세정되는 단계와;상기 초음파 세정을 거친 제 1전극 전면에 자외선 오존 세정(UV ozone cleaning) 과정을 통해 2차 세정되는 단계와;상기 1차 및 2차 세정 후 상기 제 1전극의 표면이 초고주파 플라즈마를 이용하여 전처리되는 단계와;상기 전처리된 제 1전극 상에 고분자 유기발광층 및 제 2전극이 순차적으로 형성되는 단계가 포함되며,상기 초고주파 플라즈마를 이용한 전처리 단계는 챔버 내의 진공을 상기 자와선 오존 세정 공정에서의 진공도보다 낮은 0
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제 1항에 있어서, 상기 제 1전극은 인듐-틴-옥사이드 전극임을 특징으로 하는 고분자 유기전계발광소자 제조방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.