맞춤기술찾기

이전대상기술

질화물 기판 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015026976
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 기판 제조 방법에 관한 것으로, 사파이어와 같은 이종 기판의 양면에 각기 질화물층을 성장시키도록 함으로써, 이종 성장에 의하여 발생되는 열팽창 계수나 격자 상수의 차이로 인한 스트레스를 기판의 양면에서 상쇄시켜 질화물 기판의 휘어짐(bending)이나 처짐을 최소한으로 줄일 수 있도록 한다. 질화물, 기판, 양면, 성장, 스트레스
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01)
출원번호/일자 1020030000863 (2003.01.07)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0930747-0000 (2009.12.01)
공개번호/일자 10-2004-0063448 (2004.07.14) 문서열기
공고번호/일자 (20091209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.25)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김진교 대한민국 서울특별시중구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2003-0005077-62
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2007.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2007-0766142-74
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0139551-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0284198-16
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.05.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0284201-77
9 등록결정서
Decision to grant
2009.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0405402-44
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
챔버에 내장되어 있는 보트에 Ⅲ족원 분말을 수납하고 상기 챔버 내부의 일영역에 설치되고, 사각 형상의 프레임과, 상기 프레임을 지지하는 지지대와, 상기 프레임에 각기 연결되어 기판을 고정시키는 핀으로 이루어진 기판 고정 장치에 기판을 고정하는 제 1 단계; 상기 챔버에 열을 가하여 상기 챔버의 온도를 질화물 성장 온도(T℃)로 조절하고, 상기 Ⅲ족 원소 분말이 수납된 보트로 반응 가스를 주입하는 제 2 단계; 상기 챔버의 일측에 연결된 주입관을 통해 N2 생성 가스를 주입하고, 상기 제 2 단계의 반응 가스와 상기 Ⅲ족원 분말의 화학 반응으로 생성된 반응물과 상기 주입한 N2 생성 가스의 화학 반응을 통해 상기 기판의 양면에 질화물을 성장시키는 제 3 단계로 이루어지는, 질화물 기판 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 Ⅲ족원 분말은 ; 질화갈륨 분말이나 메탈 갈륨 또는 이들의 혼합된 분말 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 질화물 기판 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 반응 가스와 N2 생성 가스는; 각기 염화수소(HCL)와 암모니아(NH3)이고, 상기 T℃는; 800℃ ~ 1000℃ 정도인 것을 특징으로 하는, 질화물 기판 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.