맞춤기술찾기

이전대상기술

폴리실리콘 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015027056
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 촉매금속 물질을 이용한 비정질 실리콘의 저온 결정화 공정에 의하면, 별도의 캡핑막없이 촉매금속 물질이 흡착된 비정질 실리콘층 상에 보론 이온을 도핑처리한 다음 결정화 공정을 진행하기 때문에, 도핑 공정에 따른 박막의 손상을 결정화 공정을 통해 리커버리할 수 있어, 결론적으로 별도의 캡핑막을 이용하는 채널도핑 공정보다 공정을 단순화시킬 수 있고, 박막의 손상 등을 최소화하는 조건 하에서 문턱전압을 효과적으로 조절할 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 21/02672(2013.01) H01L 21/02672(2013.01) H01L 21/02672(2013.01) H01L 21/02672(2013.01)
출원번호/일자 1020030001671 (2003.01.10)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0977538-0000 (2010.08.17)
공개번호/일자 10-2004-0064810 (2004.07.21) 문서열기
공고번호/일자 (20100823) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.07)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김빈 대한민국 서울특별시양천구
2 김해열 대한민국 경기도안양시동안구
3 서현식 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2003-0009050-23
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0011642-28
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0011643-74
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.05.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2009-0034471-99
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0445962-16
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0738665-19
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0053534-27
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.01.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0053531-91
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0219777-00
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2010.06.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0025894-32
13 등록결정서
Decision to grant
2010.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0355126-54
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
절연기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계와; 상기 버퍼층 상부에 비정질 실리콘(a-Si) 박막을 형성하는 단계와; 상기 비정질 실리콘 박막 상부에 미량의 촉매금속 물질을 흡착하는 단계와; 상기 촉매금속 물질이 흡착된 비정질 실리콘 박막 전면을 3족 원소로 도핑처리하는 단계와; 상기 전면 도핑처리된 비정질 실리콘 박막을 써멀 어닐링(thermal annealing) 공정을 진행하여 촉매금속 물질로 결정화처리하는 단계를 포함하며, 상기 써멀 어닐링(thermal annealing)을 통한 결정화처리에 의해 별도의 열처리 공정없이 상기 3족 원소의 도핑에 의해 손상된 비정질 실리콘 박막을 리커버리 하는 것이 특징인 폴리실리콘 박막의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 3족 원소는 보론(B)인 폴리실리콘 박막의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 보론의 도즈량은 1011 ~ 1014 cm-2인 폴리실리콘 박막의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 촉매금속 물질은 니켈(Ni)인 폴리실리콘 박막의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 촉매금속 물질을 흡착하는 단계는, 증착, 코팅, 주입 중 어느 한 방법에 의해 형성하는 단계인 폴리실리콘 박막의 제조방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 의한 제조방법에 의해 형성된 폴리실리콘 박막을 반도체층으로 이용하는 박막트랜지스터 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.