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n-GaAs 기판의 상면 일부를 식각하여 홈을 형성하는 제 1 단계; 상기 홈이 형성된 n-GaAs 기판의 상면과 동일한 형상으로 상기 n-GaAs기판의 상부 전면에 n-클래드층, 활성층, p-클래드층, p-캡층 및 절연막을 순차적으로 형성하는 제 2 단계; 상기 절연막의 상면을 따라 포토 레지스트를 도포하고, 홈이 형성된 이외의 영역에 도포된 포토 레지스트만 현상시키는 제 3 단계; 상기 현상된 포토 레지스트로부터 상기 n-GaAs 기판의 일부까지 소정의 식각 용액을 이용해 수직 방향으로 식각하여 트렌치(trench)를 형성하는 제 4 단계; 상기 절연막에 형성된 홈 상면에 도포된 포토 레지스트를 현상하고, 소정의 식각 용액을 주입하여 상기 현상한 포토 레지스트로부터 상기 유전막의 저면까지 수직 방향으로 식각하여 채널을 형성하는 제 5 단계; 상기 포토 레지스트를 제거하여 노출된 소자의 상면을 따라 p-패드 전극을 형성하고, 상기 n-GaAs기판의 하면에 n-패드 전극을 형성하는 제 6 단계로 이루어지는, 반도체 레이저 다이오드 어레이 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 4 단계는; 상기 현상한 포토 레지스트와 그 하부의 유전막을 HF계 식각 용액을 이용해 수직 방향으로 식각하여 제거하는 제 41 단계; 상기 식각하여 제거한 유전막 하면의 p-캡층부터 상기 n-GaAs 기판의 일부까지 암모니아계(NH4OH) 식각 용액을 이용해 수직 방향으로 식각하여 트렌치(trench)를 형성하는 제 42 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 반도체 레이저 다이오드 어레이 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 5 단계의 식각 용액은; HF계 식각 용액인 것을 특징으로 하는, 반도체 레이저 다이오드 어레이 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 홈은; V-groove 형상인 것을 특징으로 하는, 반도체 레이저 다이오드 어레이 제조 방법
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