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반도체 레이저 다이오드 어레이 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015027086
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 레이저 다이오드 어레이 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 리지가 형성된 소자 전면에 서로 다른 식각 용액으로 식각되는 제 1 전류 차단층과 제 2 전류차단층을 형성하여, 전류 주입을 위한 채널(channel) 형성 공정과 발광 영역으로 크랙(crack)이 전파되는 것을 방지하기 위한 트렌치(trench) 형성 공정을 한 번의 포토 작업으로 수행할 수 있도록 함으로써, 반도체 레이저 다이오드 어레이의 생산 시간이나 제조 비용 및 그 생산 수율을 향상시킨다. 반도체, 레이저, 다이오드, 트렌치, 채널, 포토
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC H01S 5/2206(2013.01) H01S 5/2206(2013.01) H01S 5/2206(2013.01)
출원번호/일자 1020030009884 (2003.02.17)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0489479-0000 (2005.05.04)
공개번호/일자 10-2004-0074327 (2004.08.25) 문서열기
공고번호/일자 (20050517) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.02.17)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황종승 대한민국 서울특별시금천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2003-0054119-29
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.12.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0073168-34
5 등록결정서
Decision to grant		 2005.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0198275-92
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n-GaAs 기판 상면에 n-클래드층, 활성층, 제 1 p-클래드층, 식각 저지층을 순차적으로 형성하는 제 1 단계; 상기 식각 저지층 상면에 제 2 p-클래드층, p-캡층, 리지 마스크층을 순차적으로 증착하고, 증착한 리지 마스크층을 패터닝시켜 이를 마스크로 하여 상기 p-캡층과 제 2 p-클래드층을 리지로 형성하는 제 2 단계; 상기 리지가 형성된 소자의 상면을 따라 상기 소자의 상면과 동일한 형상으로 제 1 전류 차단층과, 제 2 전류 차단층을 순차적으로 형성하는 제 3 단계; 상기 제 2 전류 차단층 상면을 따라 포토 레지스트를 도포하고 패터닝하여 소정의 채널(channel) 및 트렌치(trench) 형성 영역에 각기 포토 레지스트(PR) 개구부를 형성하는 제 4 단계; 상기 포토 레지스트 개구부를 통해 소정의 식각 용액을 주입하여 그 하부의 제 2 전류 차단층 일부를 제거시켜 리지 마스크층을 노출시키고, 상기 제 2 전류 차단층부터 상기 n-클래드층의 일부를 수직 방향으로 식각하여 노출시키는 제 5 단계; 상기 노출된 리지 마스크층을 제거하여 p-캡층을 노출시키고, 상기 노출된 n-클래드층의 일부를 제거하여 n-GaAs 기판의 일부를 노출시키는 제 6 단계; 상기 남아 있는 포토 레지스트를 제거하여 노출된 소자의 상면을 따라 p-패드 전극을 형성하고, 상기 n-GaAs기판의 하면에 n-패드 전극을 형성하는 제 7 단계로 이루어지는, 반도체 레이저 다이오드 어레이 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계의 제 1 전류 차단층은 InGaP로 이루어지고, 상기 제 2 전류 차단층은 n-GaAs로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 반도체 레이저 다이오드 어레이 제조 방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 전류 차단층은 상기 제 1 전류 차단층보다 두꺼운 것을 특징으로 하는, 반도체 레이저 다이오드 어레이 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 5 단계는; 상기 포토 레지스트 개구부를 통해 그 하부의 제 2 전류 차단층을 식각하여 상기 리지 마스크층 상면의 제 1 전류 차단층과 상기 식각 저지층 상면 일부의 제 1 전류 차단층을 노출시키는 제 51 단계; 상기 노출된 제 1 전류 차단층을 식각하여 상기 리지 마스크층과 상기 식각 저지층의 일부를 노출시키는 제 52 단계; 상기 노출된 식각 저지층부터 n-클래드층의 일부까지 수직 방향으로 식각하여 n-클래드층의 일부를 노출시키는 제 53 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 반도체 레이저 다이오드 어레이 제조 방법
5 5
n-GaAs 기판 상면에 n-클래드층, 활성층, 제 1 p-클래드층, 식각 저지층을 순차적으로 형성하고; 상기 식각 저지층 상면에 제 2 p-클래드층, p-캡층, 리지 마스크층을 순차적으로 증착하고, 증착한 리지 마스크층을 패터닝시켜 이를 마스크로 하여 상기 p-캡층과 제 2 p-클래드층을 리지로 형성하고; 상기 리지가 형성된 소자의 상면을 따라 상기 소자의 상면과 동일한 형상으로 제 1 전류 차단층과, 제 2 전류 차단층을 순차적으로 형성하고; 상기 제 2 전류 차단층 상면을 따라 포토 레지스트를 도포하고 패터닝하여 소정의 채널(channel) 및 트렌치(trench) 형성 영역에 각기 PR 개구부를 형성하고; 상기 PR 개구부를 통해 소정의 식각 용액을 주입하여 그 하부의 제 2 전류 차단층 일부를 제거시켜 리지 마스크층을 노출시키고, 상기 제 2 전류 차단층부터 상기 n-클래드층의 일부를 수직 방향으로 식각하여 노출시키며; 상기 노출된 리지 마스크층을 제거하여 p-캡층을 노출시키고, 상기 노출된 n-클래드층의 일부를 제거하여 n-GaAs 기판의 일부를 노출시키며; 상기 남아 있는 포토 레지스트를 제거하여 노출된 소자의 상면을 따라 p-패드 전극을 형성하고, 상기 n-GaAs기판의 하면에 n-패드 전극을 형성하여 이루어지는 반도체 레이저 다이오드 어레이
6 5
n-GaAs 기판 상면에 n-클래드층, 활성층, 제 1 p-클래드층, 식각 저지층을 순차적으로 형성하고; 상기 식각 저지층 상면에 제 2 p-클래드층, p-캡층, 리지 마스크층을 순차적으로 증착하고, 증착한 리지 마스크층을 패터닝시켜 이를 마스크로 하여 상기 p-캡층과 제 2 p-클래드층을 리지로 형성하고; 상기 리지가 형성된 소자의 상면을 따라 상기 소자의 상면과 동일한 형상으로 제 1 전류 차단층과, 제 2 전류 차단층을 순차적으로 형성하고; 상기 제 2 전류 차단층 상면을 따라 포토 레지스트를 도포하고 패터닝하여 소정의 채널(channel) 및 트렌치(trench) 형성 영역에 각기 PR 개구부를 형성하고; 상기 PR 개구부를 통해 소정의 식각 용액을 주입하여 그 하부의 제 2 전류 차단층 일부를 제거시켜 리지 마스크층을 노출시키고, 상기 제 2 전류 차단층부터 상기 n-클래드층의 일부를 수직 방향으로 식각하여 노출시키며; 상기 노출된 리지 마스크층을 제거하여 p-캡층을 노출시키고, 상기 노출된 n-클래드층의 일부를 제거하여 n-GaAs 기판의 일부를 노출시키며; 상기 남아 있는 포토 레지스트를 제거하여 노출된 소자의 상면을 따라 p-패드 전극을 형성하고, 상기 n-GaAs기판의 하면에 n-패드 전극을 형성하여 이루어지는 반도체 레이저 다이오드 어레이
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.