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이종 기판 상부에 질화물층과 스트라이프 형태의 마스크 패턴을 순차적으로 형성하는 제 1 단계;
상기 마스크 패턴을 마스크로 하여 질화물층부터 이종 기판의 일부까지 식각하고, 마스크 패턴을 제거하여 상기 질화물층을 측면 성장시키는 제 2 단계;
상기 측면 성장된 질화물층 상부에 n-질화물층, 활성층, p-질화물층을 순차적으로 형성하는 제 3 단계;
상기 p-질화물층의 상부 일부에 결함 밀도에 따라 전류 차단 층을 형성하는 제 4 단계;
상기 전류 차단 층이 형성된 p-질화물층 상부에 투명 전극을 형성하는 제 5 단계;
상기 투명 전극의 상부에 p패드 전극을 형성하고, 상기 투명 전극부터 상기 n-질화물층의 일부까지 수직 방향으로 메사 식각하여 노출된 n-질화물층의 상면에 n패드전극을 형성하는 제 6 단계로 이루어지는, 레이저 발광 다이오드 제조 방법
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2
제 1 항에 있어서, 상기 제 4 단계의 전류 차단 층은;
상기 제 1 단계의 마스크 패턴 형성 영역의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는, 레이저 발광 다이오드 제조 방법
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3
제 1 항에 있어서, 상기 제 4 단계는;
이온 주입 공정(Implantation)을 통해 전류 차단층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 레이저 발광 다이오드 제조 방법
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4
제 3 항에 있어서, 상기 이온은;
Ti, O2 , Fe, Cr 중에서 선택된 어느 하나의 원소에 대응되는 이온인 것을 특징으로 하는, 레이저 발광 다이오드 제조 방법
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5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이종 기판은;
사파이어 기판 또는 실리콘 카바이드 기판 인 것을 특징으로 하는, 레이저 발광 다이오드 제조 방법
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6
이종 기판;
상기 이종 기판 상부에 질화물을 증착하고, 증착한 질화물부터 상기 이종 기판의 일부까지 마스크 패턴에 따라 식각하여 상기 질화물을 측면 성장시켜 형성된 질화물층;
상기 질화물층 상부에 순차적으로 형성된 n-질화물층, 활성층, p-질화물층;
상기 p-질화물층의 상부 일부에 형성된 전류 차단 층;
상기 전류 차단 층을 포함한 p-질화물층 전면에 형성된 투명 전극;
상기 투명 전극의 상부에 형성된 p패드 전극과, 상기 투명 전극부터 상기 n-질화물층의 일부까지 수직 방향으로 메사 식각하여 노출된 n-질화물층의 상면에 형성된 n패드전극으로 이루어지는, 레이저 발광 다이오드
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제 6 항에 있어서, 상기 전류 차단 층은;
상기 마스크 패턴 형성 영역의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는, 레이저 발광 다이오드
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