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질화물 화합물 반도체의 결정성장 방법

기술번호 : KST2015027099
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 질화물 화합물 반도체의 결정성장 방법에 관한 것으로, 사파이어 기판의 상부에, 알루미늄을 포함하는 질화물 버퍼층을 성장시키는 단계와; 상기 알루미늄을 포함하는 질화물 버퍼층의 상부에 이원계 질화물 버퍼층을 성장시키는 단계와; 상기 이원계 질화물 버퍼층 상부에 질화물 화합물 반도체층을 성장시키는 단계로 구성된다. 따라서, 본 발명은 알루미늄을 포함하는 질화물 버퍼층의 상부에 질화물 화합물 반도체층을 성장시킴으로써, 전기적 및 결정학적 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 발생한다. 질화물, 반도체, 알루미늄, 버퍼층
Int. CL	H01L 33/16 (2014.01)
CPC
출원번호/일자	1020030005948 (2003.01.29)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자	10-0504180-0000 (2005.07.20)
공개번호/일자	10-2004-0069526 (2004.08.06) 문서열기
공고번호/일자	(20050728) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2003.01.29)
심사청구항수	6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	신종언	대한민국	경기도성남시분당구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	박창남	대한민국	서울특별시 서초구 반포대로길 , *층 (서초동, 명지빌딩)(나이스국제특허법률사무소)
2	정종옥	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
3	장재용	대한민국	서울특별시 강남구 강남대로길 -, 층(역삼동, 대명빌딩)(휴피아국제특허법률사무소)
4	조현동	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
5	진천웅	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
6	조담	대한민국	서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2003.01.29	수리 (Accepted)	1-1-2003-0034420-00
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2003.10.16	수리 (Accepted)	4-1-2003-0055522-32
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2004.06.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2004.07.14	수리 (Accepted)	9-1-2004-0044124-67
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2005.01.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0041674-69
6	지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period	2005.03.23	수리 (Accepted)	1-1-2005-0152267-13
7	대리인선임신고서 Notification of assignment of agent	2005.04.27	수리 (Accepted)	1-1-2005-0219811-56
8	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2005.04.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0219821-13
9	의견서 Written Opinion	2005.04.27	수리 (Accepted)	1-1-2005-0219820-67
10	등록결정서 Decision to grant	2005.07.15	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0335183-15
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 사파이어 기판을 고온에서 열처리한 후, 암모니아(NH3)를 흘려주어 사파이어 기판의 상부에, 질화막을 형성하는 단계와;상기 질화막 상부에 알루미늄을 포함하는 질화물 버퍼층을 성장시키는 단계와;상기 알루미늄을 포함하는 질화물 버퍼층 상부에 알루미늄(Al)을 포함하지 않는 질화물 버퍼층을 형성하는 단계와;상기 알루미늄을 포함하지 않는 질화물 버퍼층의 상부에 이원계 질화물 버퍼층을 성장시키는 단계와;상기 이원계 질화물 버퍼층 상부에 질화물 화합물 반도체층을 성장시키는 단계로 구성된 질화물 화합물 반도체의 결정성장 방법
2	2 삭제
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 알루미늄을 포함하는 질화물 버퍼층은 AlxGayInzN (0< x ≤1, 0≤y ≤1, 0≤z ≤1)인 것을 특징으로 하는 질화물 화합물 반도체의 결정성장 방법
4	4 제 1 에 있어서, 상기 알루미늄을 포함하지 않는 질화물 버퍼층은 GaxInyN층 (0≤x ≤1, 0≤y≤1)인 것을 특징으로 하는 질화물 화합물 반도체의 결정성장 방법
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 이원계 질화물 버퍼층은 AlN, GaN, InN와 SiNx 중 선택된 어느 하나 인것을 특징으로 하는 질화물 화합물 반도체의 결정성장 방법
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 질화물 화합물 반도체층은 GaN층인 것을 특징으로 하는 질화물 화합물 반도체의 결정성장 방법
7	7 삭제
8	8 제 1 항에 있어서, 상기 알루미늄을 포함하는 질화물 버퍼층, 알루미늄을 포함하지 않는 질화물 버퍼층과 이원계 질화물 버퍼층은, 400-600℃의 온도에서 10-1000Å 두께로 성장시키는 것을 특징으로 하는 질화물 화합물 반도체의 결정성장 방법
9	8 제 1 항에 있어서, 상기 알루미늄을 포함하는 질화물 버퍼층, 알루미늄을 포함하지 않는 질화물 버퍼층과 이원계 질화물 버퍼층은, 400-600℃의 온도에서 10-1000Å 두께로 성장시키는 것을 특징으로 하는 질화물 화합물 반도체의 결정성장 방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	EP01445355	EP	유럽특허청(EPO)	FAMILY
2	EP01445355	EP	유럽특허청(EPO)	FAMILY
3	JP16235646	JP	일본	FAMILY
4	US07023025	US	미국	FAMILY
5	US20040264248	US	미국	FAMILY
6	US20060118810	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	EP1445355	EP	유럽특허청(EPO)	DOCDBFAMILY
2	EP1445355	EP	유럽특허청(EPO)	DOCDBFAMILY
3	JP2004235646	JP	일본	DOCDBFAMILY
4	US2004264248	US	미국	DOCDBFAMILY
5	US2006118810	US	미국	DOCDBFAMILY
6	US7023025	US	미국	DOCDBFAMILY

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0504180-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20030129 출원 번호 : 1020030005948 공고 연월일 : 20050728 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20050715 청구범위의 항수 : 6 유별 : H01L 33/00 발명의 명칭 : 질화물 화합물 반도체의 결정성장 방법 존속기간(예정)만료일 : 20170721

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	405,000 원	2005년 07월 21일	납입
제 4 년분	금 액	189,000 원	2008년 06월 18일	납입
제 5 년분	금 액	172,000 원	2009년 06월 19일	납입
제 6 년분	금 액	172,000 원	2010년 06월 30일	납입
제 7 년분	금 액	328,000 원	2011년 06월 20일	납입
제 8 년분	금 액	328,000 원	2012년 06월 19일	납입
제 9 년분	금 액	328,000 원	2013년 06월 24일	납입
제 10 년분	금 액	570,000 원	2014년 06월 24일	납입
제 11 년분	금 액	570,000 원	2015년 06월 24일	납입
제 12 년분	금 액	570,000 원	2016년 06월 24일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2003.01.29	수리 (Accepted)	1-1-2003-0034420-00
2	출원인정보변경(경정)신고서	2003.10.16	수리 (Accepted)	4-1-2003-0055522-32
3	선행기술조사의뢰서	2004.06.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2004.07.14	수리 (Accepted)	9-1-2004-0044124-67
5	의견제출통지서	2005.01.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0041674-69
6	지정기간연장신청서	2005.03.23	수리 (Accepted)	1-1-2005-0152267-13
7	대리인선임신고서	2005.04.27	수리 (Accepted)	1-1-2005-0219811-56
8	명세서등보정서	2005.04.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0219821-13
9	의견서	2005.04.27	수리 (Accepted)	1-1-2005-0219820-67
10	등록결정서	2005.07.15	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0335183-15
11	출원인정보변경(경정)신고서	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
12	출원인정보변경(경정)신고서	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
13	출원인정보변경(경정)신고서	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
14	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
15	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015027099
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	질화물 화합물 반도체의 결정성장 방법
기술개요	본 발명은 질화물 화합물 반도체의 결정성장 방법에 관한 것으로, 사파이어 기판의 상부에, 알루미늄을 포함하는 질화물 버퍼층을 성장시키는 단계와; 상기 알루미늄을 포함하는 질화물 버퍼층의 상부에 이원계 질화물 버퍼층을 성장시키는 단계와; 상기 이원계 질화물 버퍼층 상부에 질화물 화합물 반도체층을 성장시키는 단계로 구성된다. 따라서, 본 발명은 알루미늄을 포함하는 질화물 버퍼층의 상부에 질화물 화합물 반도체층을 성장시킴으로써, 전기적 및 결정학적 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 발생한다. 질화물, 반도체, 알루미늄, 버퍼층
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
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