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질화물계 화합물 반도체를 이용한 발광소자 및 그의제조방법

  • 기술번호 : KST2015027153
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요약 본 발명은 질화물계 화합물 반도체를 이용한 발광 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 기판의 상부에 제 1 N-화합물 반도체층, 고농도 N타입 캐리어가 도핑된 화합물 반도체층, 제 2 N-화합물 반도체층, 활성층과 P-화합물 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계와; 상기 P-화합물 반도체층에서 제 1 N-화합물 반도체층의 일부까지 메사(Mesa)식각하는 단계와; 상기 P-화합물 반도체층의 상부에 P-전극을 형성하고, 상기 메사 식각된 제 1 N-화합물 반도체층의 상부에 N-전극을 형성하는 단계를 수행하여 소자를 제조한다. 따라서, 본 발명은 전체 N-화합물 반도체층의 도핑 농도를 증가시키지 않고, N-화합물 반도체층의 일부에 N타입 캐리어의 도핑 농도를 증가시키고, 고농도 N타입 캐리어가 도핑된 층을 전기 전도의 채널로 이용함으로써, 결함 생성을 억제함과 동시에 전기 저항을 낮출 수 있는 효과가 발생한다. 질화물, 반도체, 고농도, N타입, 캐리어
Int. CL H01L 33/14 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020030009528 (2003.02.14)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0899917-0000 (2009.05.21)
공개번호/일자 10-2004-0073808 (2004.08.21) 문서열기
공고번호/일자 (20090528) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.19)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문영부 대한민국 경기도안양시동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2003-0052112-64
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2007.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0679091-14
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0040973-58
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0503214-09
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0779785-49
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.11.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0779797-97
10 등록결정서
Decision to grant
2009.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0138242-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 상부에 형성되고, 일부 상부가 제거된 제 1 N-화합물 반도체층과; 상기 제 1 N-화합물 반도체층의 상부에 형성된 고농도 N타입 캐리어가 도핑된 화합물 반도체층과; 상기 고농도 N타입 캐리어가 도핑된 화합물 반도체층의 상부에 형성된 제 2 N-화합물 반도체층과; 상기 제 2 N-화합물 반도체층의 상부에 형성된 활성층과; 상기 활성층의 상부에 형성된 P-화합물 반도체층과; 상기 P-화합물 반도체층의 상부와 제 1 N-화합물 반도체층의 제거된 상부에 각각 형성된 전극으로 구성된 질화물계 화합물 반도체를 이용한 발광 소자
2 2
기판의 상부에 제 1 N-화합물 반도체층, 고농도 N타입 캐리어가 도핑된 화합물 반도체층, 제 2 N-화합물 반도체층, 활성층과 P-화합물 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계와; 상기 P-화합물 반도체층에서 제 1 N-화합물 반도체층의 일부까지 메사(Mesa)식각하는 단계와; 상기 P-화합물 반도체층의 상부에 P-전극을 형성하고, 상기 메사 식각된 제 1 N-화합물 반도체층의 상부에 N-전극을 형성하는 단계로 구성된 질화물계 화합물 반도체를 이용한 발광 소자 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 고농도 N타입 캐리어가 도핑된 화합물 반도체층과 제 2 N-화합물 반도체층으로 이루어진 적층 에피층을 상기 제 1 N-화합물 반도체층과 활성층 사이에 복수개 더 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 화합물 반도체를 이용한 발광 소자 제조 방법
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 고농도 N타입 캐리어가 도핑된 화합물 반도체층은, 실리콘(Si)을 주입하면서 화합물 반도체층을 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 화합물 반도체를 이용한 발광 소자 제조 방법
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제 2 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 고농도 N타입 캐리어가 도핑된 화합물 반도체층은 10~20㎚ 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 화합물 반도체를 이용한 발광 소자 제조 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 고농도 N타입 캐리어가 도핑된 화합물 반도체층은 GaN인 것을 특징으로 하는 질화물계 화합물 반도체를 이용한 발광 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.