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사파이어 기판의 상부에 도핑되지 않은 질화물 화합물 반도체층, N-웨이브 가이드층, 활성층, P-웨이브 가이드층, 투명전극, 반사막, 솔더 반응 방지층과 금속층을 순차적으로 형성하여 복수개의 발광 다이오드의 적층구조를 형성하는 제 1 단계와;상기 금속층의 상부에 전류가 흐를 수 있는 서브마운트 기판을 솔더에 의해 본딩하는 제 2 단계와;상기 사파이어 기판에 레이저를 조사하여 사파이어 기판을 제거하고, 상기 도핑되지 않은 질화물 화합물 반도체층을 제거하고, 노출된 N-웨이브 가이드층에 N-전극을 형성하는 제 3 단계와; 상기 복수개의 발광 다이오드의 적층구조와 서브마운트 기판에 절단공정을 수행하여 개별 소자로 분리시키는 제 4 단계로 구성된 발광 다이오드의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 도핑되지 않은 질화물 화합물 반도체층은 GaN층이고, 상기 N-웨이브 가이드층은 N-GaN층이고, 상기 활성층은 InxGa1-xN층이며, 상기 P-웨이브 가이드층은 P-GaN층인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 반사막은 Ag, Al, Pt, Au, Ni, Ti와 ITO 중 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 솔더 반응 방지층은 ITO막 또는 ATO막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 서브마운트 기판은, 전류가 흐를 수 있는 베이스 기판의 상부와 하부 각각에 제 1과 2 오믹 접촉(Ohmic contact)용 금속층을 형성하고, 상기 제 1 오믹 접촉용 금속층의 상부에 솔더를 부착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 베이스 기판은 Si, AlN, SiC와 GaAs 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 제 3 단계의 N전극은, 상기 전류의 분산을 원활하게 하기 위하여 '+'자형으로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 제 3 단계의 N전극은, 상기 전류의 분산을 원활하게 하기 위하여 '+'자형으로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법
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