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질화갈륨계 반도체 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015027186
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요약 본 발명에 따른 질화갈륨계 반도체의 구조는 사파이어 기판, n형 GaN층, 활성층, p형 GaN층이 포함되는 질화갈륨계 반도체 다이오드의 구조에 있어서, 상기 활성층과 n형 GaN층의 사이에는, 상기 n형 GaN층의 상면에 형성되는 실리콘 도핑 시드층과, 상기 실리콘 도핑 시드층의 상면에 더 형성되고, 일정 부분은 상기 실리콘 도핑 시드층이 개구되는 스폿이 포함되는 실리콘 도핑(Si-doped) 양자점층과, 적어도 상기 스폿에 삽입되어 양자점이 다수 포함되는 활성층인 첫번째 양자웰 층이 포함되는 것을 특징으로 한다. 상기된 구성에 의해서 양자점이 형성될 뿐만 아니라, 접면의 격자 부정합이 제거된 활성층을 형성할 수 있어, 누설 전류를 억제하고 발광효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 질화갈륨 반도체
Int. CL H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/32 (2010.01.01) H01L 33/14 (2010.01.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020030002012 (2003.01.13)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-0974789-0000 (2010.08.02)
공개번호/일자 10-2004-0064979 (2004.07.21) 문서열기
공고번호/일자 (20100806) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.11)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손효근 대한민국 대전광역시대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2003-0010530-62
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0022975-74
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0050456-44
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0188839-55
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0310959-57
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0593997-49
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0593995-58
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2010.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0037609-24
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.03.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0180618-10
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0180623-38
16 등록결정서
Decision to grant
2010.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0310711-66
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 반도체층; 상기 n형 반도체층 상에 형성되며, 상부에 다수의 구멍을 포함하는 시드층; 상기 시드층 상에 형성되며, 적어도 일부가 상기 다수의 구멍에 삽입되는 활성층; 및 상기 활성층 상에 p형 반도체층을 포함하는 질화갈륨계 반도체 소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 활성층은 양자우물층과 장벽층이 반복되어 적층된 다중 양자웰층인 질화갈륨계 반도체 소자
3 3
제 1항에 있어서, 상기 활성층의 최하층은 InGaN을 포함하는 양자웰층인 질화갈륨계 반도체 소자
4 4
제 1항에 있어서, 상기 시드층 상부의 다수의 구멍의 직경은 1Å 내지 1000Å인 질화갈륨계 반도체 소자
5 5
n형 반도체층을 형성하는 단계; 상기 n형 반도체층 상에 제1시드층, 상기 제1시드층 위에 다수의 스폿과 상기 다수의 스폿 사이에 구멍을 갖는 제2시드층을 포함하는 시드층을 형성하는 단계; 상기 시드층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 활성층 상에 p형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 질화갈륨계 반도체 소자 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 시드층은 CVD(화학기상증착법)에 의해 TMGa, NH3 및 Si2H6을 사용하여 형성하는 질화갈륨계 반도체 소자 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 시드층의 제2시드층을 형성하는 공정은 상기 제1시드층을 형성하는 공정에 비해 적은 양의 TMGa를 첨가하고, 증착 온도를 같거나 높게 조정하여 형성하는 질화갈륨계 반도체 소자 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 제2 시드층을 형성하는 공정에 첨가되는 TMGa의 양은 1μmol 내지 100μmol 이고, 증착 온도는 1000℃ 내지 1500℃ 인 질화갈륨계 반도체 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.